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GaN E--HEMT特性及其半桥驱动电路子模块研究: 宽禁带半导体材料由于具有耐高温、高频、抗辐射等优势，已成为新一代功率半导体器件的又一支撑材料，其中GaN基增强型高电子迁移率晶体管(E-HEMT)，是宽禁带半导体功率器件的研究热点，是最具潜力的可应用于高功率开关模式电源...; 柏常青; 关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓驱动电路电学参数

GaN基HEMT器件的缺陷研究综述被引量：2: 2017年; GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)因具有高输出功率密度、高工作频率、高工作温度等优良特性,在高频大功率等领域具有广泛应用前景。目前,HEMT器件在材料生长和工艺制备方面都取得了巨大的进步。但是,由缺陷产生的陷阱效应一直是限制其发展的重要原因。本文首先论述了HEMT器件中的表面态、界面缺陷和体缺陷所在位置及其产生的原因。然后,阐述了由陷阱效应引起的器件电流崩塌、栅延迟、漏延迟、Kink效应等现象,从器件结构设计和工艺设计角度,总结提出了改善缺陷相关问题的主要措施,其中着重总结了器件盖帽层、表面处理、钝化层和场板结构4个方面的最新研究进展。最后,探索了GaN基HEMT器件在缺陷相关问题上的未来优化方向。; 郭伟玲陈艳芳李松宇雷亮柏常青; 关键词：GAN

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柏常青