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牛巧莉

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：华南师范大学光电子材料与技术研究所更多>>
发文基金：上海市自然科学基金教育部科学技术研究重点项目广东省科技计划工业攻关项目更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇本征
  • 1篇本征缺陷
  • 1篇P型
  • 1篇P型掺杂
  • 1篇ZNO
  • 1篇掺杂
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 1篇华南师范大学
  • 1篇上海师范大学
  • 1篇中山大学

作者

  • 1篇赵灵智
  • 1篇伍广亨
  • 1篇陈心满
  • 1篇周洪
  • 1篇牛巧莉

传媒

  • 1篇化工新型材料

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
ZnO薄膜的本征缺陷、p型掺杂及其新型功能器件
2012年
ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有较高的激子结合能(60meV),室温下激子仍然存在。由于其结构特点及优异的光电性能,ZnO在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等高技术领域有着广阔的应用前景,在国内外引起极大的关注。但本征的ZnO呈n型电导,p型ZnO的获得因较强的自补偿效应,存在较大困难,限制了其应用水平。针对ZnO目前的研究、就其本征缺陷、p型掺杂以及新型功能器件等方面做一简要评述。
陈心满伍广亨周洪赵灵智牛巧莉
关键词：ZNO本征缺陷
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共1页<1>
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