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谢文彬

作品数:3 被引量:1H指数:1
供职机构:重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金重庆市自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇碳纳米管
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米管
  • 2篇多壁碳纳米管
  • 2篇光电
  • 2篇光热
  • 1篇单壁
  • 1篇单壁碳纳米管
  • 1篇电池
  • 1篇电器件
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅太阳能...
  • 1篇修饰
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇光电流
  • 1篇光电器件
  • 1篇光电响应
  • 1篇硅太阳能电池
  • 1篇仿真

机构

  • 3篇重庆大学

作者

  • 3篇张洁
  • 3篇谢文彬
  • 2篇龚天诚
  • 2篇朱永
  • 1篇张晓蕾
  • 1篇陈俞霖

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇中国激光
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
多壁碳纳米管对多晶硅太阳能电池修饰作用
2013年
研究了多壁碳纳米管对无减反层的多晶硅太阳能电池上表面的修饰作用。通过向多晶硅太阳能电池表面滴加多壁碳纳米管乙醇均匀混合液的方法实现了修饰工艺。当修饰效果达到最佳时,短路电流提升了5.61%,开路电压、最大输出功率和填充因子分别下降了4.36%、6.15%和7.11%。多壁碳纳米管的修饰对多晶硅太阳能电池同时具有利、弊影响,修饰作用存在最优点。结合PCID仿真软件,从理论和数值模拟上分析了多壁碳纳米管的修饰原理,解释了电学参数变化原因。通过实验及分析,为了达到优化修饰的效果,提出了减小碳纳米管浓度的修饰方式。
谢文彬朱永龚天诚张洁
关键词:硅太阳能电池多壁碳纳米管
单壁碳纳米管薄膜光电器件研究被引量:1
2015年
制备了单壁碳纳米管薄膜光电器件,在偏压和激光器照射条件下可产生净光电流。分别研究了偏置电压、激光功率、照射位置对净光电流的影响。实验表明,激光照射薄膜中点,净光电流随着偏压的增大而增大,随激光功率的增大而趋于饱和,偏压为0.2V,激光功率为22.7mW时,净光电流达到0.24μA;无偏压,激光照射薄膜不同位置时,净光电流值关于器件中心对称分布,照射两端点输出最大光电流,照射中点输出趋于"0"。经分析,在偏压和激光照射薄膜中心位置的条件下,器件因内光电效应可产生净光电流;在无偏压和激光照射的条件下,因光热电效应可产生净光电流,并建立了温度模型,根据单壁碳纳米管的热电势特性推导出了净光电流与光照位置的关系,其符合实验结果;内光电和光热电效应是光电流产生、变化的原因,在偏压和激光照射的一般条件下,净光电流应是两种效应的叠加结果。器件所具有的光电特性使其在光伏器件、光传感器有应用的潜力。
谢文彬朱永龚天诚陈俞霖张洁
关键词:单壁碳纳米管光电器件
大面积多壁碳纳米管薄膜光电响应实验
2014年
为了研究大面积多壁碳纳米管(MWNTs)的光电响应特性,利用剥离技术和旋涂法制备了大面积MWNTs薄膜器件;采用532nm激光作为激励光源,当激光照射薄膜器件不同位置时,测试其光电流和光电压。实验结果表明,激光诱导产生的光电流/电压与光照位置有关,当光照位置在器件两端时,光电流、光电压最大,两端的光电流分别为0.04μA、-0.06μA和光电压分别为0.04mV、-0.06mV;当激光照射在器件几何中心时,光电流、光电压趋于0。分析表明,光热电效应是光电流、电压产生和变化的主要原因。
张晓蕾谢文彬张洁
关键词:光电流
共1页<1>
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