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刘筠

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：工业和信息化部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇铟镓砷
  • 1篇外延层
  • 1篇INP
  • 1篇INGAAS

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇工业和信息化...

作者

  • 1篇李雪
  • 1篇张永刚
  • 1篇张旭
  • 1篇王香
  • 1篇付雪涛
  • 1篇管琪
  • 1篇刘筠

传媒

  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
重掺InP生长的InGaAs外延层迁移率的测量
2016年
通过衬底剥离技术对以重掺N型磷化铟(N^+-InP)衬底生长的In_(0.53)Ga_(0.47)As外延层的迁移率测量方法进行了研究。首先,采用环氧树脂胶将In_(0.53)Ga_(0.47)As外延层粘贴在半绝缘蓝宝石衬底上,以盐酸溶液腐蚀掉InP衬底;之后,采用扫描电子显微镜能谱及金相显微镜对InP衬底的剥离情况及In_(0.53)Ga_(0.47)As薄膜的损伤情况进行了检测;最后采用范德堡法对粘贴在半绝缘蓝宝石衬底上的In_(0.53)Ga_(0.47)As薄膜的迁移率进行了测量。通过对比试验得出,剥离InP衬底的In_(0.53)Ga_(0.47)As薄膜的迁移率测量结果与理论值符合较好,与真值偏差在20%以内。
付雪涛刘筠张旭王香管琪裴会川张永刚李雪
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