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姜川

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：湖南大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇氢气
  • 1篇溅射功率
  • 1篇反应磁控溅射
  • 1篇AIN薄膜
  • 1篇ALN薄膜
  • 1篇C轴
  • 1篇C轴取向

机构

  • 2篇湖南大学

作者

  • 2篇周灵平
  • 2篇彭坤
  • 2篇李德意
  • 2篇朱家俊
  • 2篇姜川

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
氢气对AlN薄膜择优取向的作用机制被引量：2
2013年
采用脉冲反应磁控溅射方法在Si衬底上沉积了(100)和(002)择优取向的AlN薄膜,随着溅射功率的降低或氢气浓度的增加,放电电压下降,沉积粒子能量降低,薄膜由(002)取向逐渐向(100)取向转变。在溅射气氛中加入氢气后,薄膜中的氧含量降低,表面形貌与表面粗糙度均随着择优取向的改变发生变化。溅射功率及氢气浓度对AlN薄膜择优取向的影响规律表明,氢气主要是通过降低沉积粒子的能量和在衬底表面产生吸附两种作用方式来影响AlN薄膜的择优取向。
姜川周灵平彭坤朱家俊李德意
关键词：ALN薄膜反应磁控溅射溅射功率
磁控溅射方法制备高C轴取向AIN薄膜
高频声表面波器件作为高频通信中的重要组件随着通讯系统高频化发展而受到人们的广泛关注。AIN薄膜因具有优良的热稳定性、机械和化学性能和高声波速度而成为高频声表器件中压电材料的最佳选择,特别是C-轴取向氮化铝薄膜面向有较高的...
周灵平姜川李智彭坤朱家俊李德意
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