孟晓
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- 衬底减薄对AlGaN/GaN HEMT电学性能的影响
- 由于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在二维电子气沟道内具有高载流子浓度和高电子迁移率，因而在高频和高功率等领域中表现出了优异的性能。当前集成电路行业会采用化学机械研磨的方法对器件的衬底进行减薄，这样不仅可...
- 孟晓
- 关键词：高电子迁移率晶体管电学性能
- 一种非破坏性得到柔性铁电薄膜电容的方法
- 一种非破坏性得到柔性铁电薄膜电容的方法，属于铁电器件及半导体工艺领域。本发明为通过便捷、经济的方法得到无机衬底且具备柔性的铁电薄膜电容器件，通过使用金刚砂、工业蜡、玻璃片和玻璃板等常见材料作为衬底研磨的工具，利用加热平台...
- 朱慧孟晓张迎俏冯士维郭春生汪鹏飞
- 文献传递
- 铁酸铋薄膜的阻变效应和导电机制被引量：4
- 2017年
- 针对脉冲激光沉积法制备的铁酸铋薄膜展开研究,利用电流–电压(I–V)特性曲线表征样品的阻变现象,对样品施加不同极性、大小的电压,其I–V曲线呈现出不同高低阻值的变化。通过对I–V曲线拟合,发现样品的导电机制符合空间电荷限制电流。结合正向电压下从高阻到低阻的转变,负向电压下从低阻到高阻的转变规律,验证样品的阻变效应符合陷阱能级的填充和脱陷,即陷阱能级的填充程度不同导致电极与铁酸铋界面势垒高度不同从而导致薄膜阻值的变化。
- 朱慧张迎俏汪鹏飞白子龙孟晓陈月圆祁琼
- 关键词：导电机制
- 一种通过瞬态电流分析阻变存储器内部陷阱的方法
- 本发明公开了一种通过瞬态电流分析阻变存储器内部陷阱的方法，首先测量阻变存储器在正向、负向偏压区域的I‑V曲线，判断阻变存储器的导电机制。由于载流子有机会从陷阱中跃迁出来，所以当施加在存储器上的陷阱填充电压被移开之后，在短...
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- 文献传递
- 铁酸铋薄膜阻变效应和导电机制的研究
- 张迎俏朱慧汪鹏飞孟晓陈月圆
- 一种非破坏性得到柔性铁电薄膜电容的方法
- 一种非破坏性得到柔性铁电薄膜电容的方法，属于铁电器件及半导体工艺领域。本发明为通过便捷、经济的方法得到无机衬底且具备柔性的铁电薄膜电容器件，通过使用金刚砂、工业蜡、玻璃片和玻璃板等常见材料作为衬底研磨的工具，利用加热平台...
- 朱慧孟晓张迎俏冯士维郭春生汪鹏飞
- 文献传递
- 铁酸铋薄膜在小于矫顽电压下的阻变机制
- 2017年
- 为了研究利用脉冲激光沉积法制备于SrTiO_3衬底上的Au/BiFeO_3/SrRuO_3结构的阻变效应,实验通过测量样品的I-V特性曲线来表征样品的阻态变化.由于BiFeO_3与Au、SrRuO_3功函数的不同在Au/BiFeO_3、BiFeO_3/SrRuO_3两个接触界面形成稳定的肖特基接触,通过改变外部电压控制陷阱能级填充的程度可以改变肖特基势垒高度,从而在施加电压小于矫顽电压时可以形成稳定的高低阻变化,表现出最大可达103高低阻电流比的I-V特性曲线.对I-V特性曲线进行不同导电机制的拟合表明:小于矫顽电压下空间电荷限制电流起到了主导作用,陷阱的填充与脱陷是主要的阻变机制.
- 朱慧张迎俏汪鹏飞白子龙孟晓陈月圆祁琼
