李建锋
- 作品数:3 被引量:0H指数:0
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- 相关领域:理学一般工业技术经济管理更多>>
- SAF结构自旋阀的制备及其性能研究
- 2017年
- 通过高真空直流溅射法在硅基地上沉积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的具有人工反铁磁(SAF)被钉扎层结构的自旋阀薄膜,研究了SAF结构中的CoFe层厚度对自旋阀的巨磁电阻变化率和交换场的影响。结果表明:与无SAF结构的自旋阀相比较,SAF结构自旋阀的交换场可以达到350Oe。进一步讨论了SAF结构中CoFe层厚对自旋阀薄膜交换场和磁阻率的调制机理。
- 王向谦李建锋宋玉哲郑礴韩根亮
- 关键词:巨磁电阻自旋阀
- 一维多孔TiO_2/SiO_2光子晶体能带结构模拟计算
- 2017年
- 为展宽光子带隙,提出多孔薄膜层状结构的一维光子晶体模型。采用有效介质理论计算多孔薄膜有效介电常数,使用平面波展开法,模拟计算了一维多孔TiO_2/SiO_2光子晶体的能带结构。结果表明:电介质层孔隙率变化、厚度变化时,带隙宽度和中心频率都能被有效地调制,可实现紫外、可见光波段宽带隙的光学介质组合。这为可见光区光电子器件的制备提供了新的思路。
- 李建锋宋玉哲王向谦韩根亮
- 关键词:光子晶体平面波展开法孔隙率
- 磁场退火对顶钉扎自旋阀磁电阻性能的影响
- 2016年
- 采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为Si/SiO_2/Ta(3.2nm)/Ni_(81)Fe_(19)(18.7nm)/Co_(90)Fe_(10)(3.9nm)/Cu(2.5nm)/Co_(90)Fe_(10)(22.4nm)/Ir_(22)Mn_(78)(23.8nm)/Ta(3.6nm)的顶钉扎型自旋阀,研究了磁场退火的温度和时间对自旋阀的磁电阻变化率(GMR)的影响。结果发现,随磁场退火温度的升高和时间的增加,GMR呈现先升高后降低的趋势,275℃为最佳退火温度,最佳退火时间只有15min,分析了该趋势的变化原因。最佳退火条件下制备的自旋阀GMR达到6.0%,自由层矫顽力(H_c)为11Oe,交换场(H_(ex))约为108Oe。
- 宋玉哲高晓平王向谦李建锋刘家勇
- 关键词:自旋阀磁场退火巨磁阻