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洪波

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）江苏省薄膜材料重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光特性
  • 1篇发光
  • 1篇发光特性
  • 1篇SIC
  • 1篇CR掺杂
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇苏州大学

作者

  • 1篇吴雪梅
  • 1篇金成刚
  • 1篇朱小健
  • 1篇洪波

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Cr掺杂SiC薄膜的制备与光致发光特性被引量：2
2009年
利用高纯SiC烧结靶上粘贴金属Cr片的复合靶用双离子束溅射沉积方法,在Si和KBr单晶衬底上制备了掺杂SiC薄膜。用傅里叶变换红外光谱分析法(FTIR)和喇曼光谱仪对制得的薄膜样品进行了表征,用荧光分光光度计对样品的光致发光(PL)特性进行了研究。通过FTIR分析得到对应于Si―C键的峰位没有发生明显改变而峰强随着Cr掺杂量的增加而降低,喇曼光谱分析发现Cr掺杂导致Si和C团簇的形成,说明Cr的掺杂阻碍了Si―C键的结合。将不同Cr掺杂浓度的SiC薄膜经1000℃退火处理,发现位于413、451和469nm的三个发光峰的位置基本不变,但强度有明显改变。
朱小健洪波金成刚吴雪梅
关键词：光致发光
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共1页<1>
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