高玉伟
- 作品数：4 被引量：15H指数：2
- 供职机构：内蒙古师范大学物理与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：动力工程及工程热物理理学电气工程电子电信更多>>
- 氧化铟锡薄膜材料制备及其光电特性研究被引量：1
- 2014年
- 采用溶胶-凝胶旋转涂膜法,以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为前驱物在玻璃基片上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜材料,研究掺锡浓度、涂膜层数、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响.实验结果表明,ITO薄膜的方块电阻和可见光透射率都与掺锡浓度、涂膜层数、热处理温度和时间等因素有关,最佳参数为锡掺杂量12wt%,热处理温度和时间分别为450℃和1h,薄膜层数为6层.最佳ITO薄膜的方块电阻为185Ω/□,可见光平均透射率为91.25%.
- 高玉伟张丽丽周炳卿张林睿张龙龙
- 关键词：溶胶-凝胶法ITO方块电阻透射率光电性能
- PECVD制备富硅氮化硅薄膜的工艺条件及其性质的研究被引量：10
- 2014年
- 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对薄膜材料进行了表征,并研究了薄膜材料的微结构和晶化状况、光学特性等。实验结果表明,所沉积薄膜都为富硅的非晶氮化硅材料,改变射频功率、硅烷稀释度和衬底温度可以控制氮化硅薄膜中N元素的含量、光学带隙的大小和薄膜的折射率,并制备出最适宜富硅氮化硅薄膜,为进一步退火析出硅量子点奠定了基础。
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- 关键词：PECVD非晶结构光学带隙
- PECVD沉积硅薄膜退火性质的分析被引量：2
- 2014年
- 利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备硅薄膜,对硅薄膜进行退火处理。通过X射线衍射谱,拉曼光谱以及傅里叶变换红外吸收光谱,研究了退火温度在550~700℃范围内,硅薄膜退火过程中的生长特性。实验表明：多晶硅的晶粒尺寸并不随着退火温度的提高而持续增大,当退火温度在550~650℃范围内,硅薄膜始终表现出（111）方向的择优生长取向。当退火温度高于650℃时,氧原子活性增强,硅-氧键增加。对于存在应变、已结晶的薄膜,由于内部应力的累积,薄膜更容易随着退火温度的升高而脱落。
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- 关键词：等离子体增强化学气相沉积硅薄膜退火
- 热丝化学气相沉积微晶硅薄膜结构及性质研究被引量：2
- 2014年
- 采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术,以钨丝作为热丝,在不同热丝温度和氢稀释度下,分别在玻璃和单晶硅片衬底上沉积微晶硅(μc-Si∶H)薄膜材料。对所制备的微晶硅薄膜材料使用XRD、傅里叶变换红外吸收光谱、透射谱等进行结构与性能的表征分析。结果表明,随着热丝温度升高,氢稀释度变大,薄膜呈现明显的(220)择优生长取向,晶粒尺寸逐渐增大,光学吸收边出现红移,光学带隙逐渐变小。通过优化沉积参数,在热丝温度为1577℃、氢稀释浓度为95.2%、衬底温度为350℃,沉积速率为0.6 nm/s和沉积气压8 Pa条件下,制备的微晶硅薄膜呈现出了(220)方向的高度择优生长取向,平均晶粒尺寸为146 nm,光学带隙约为1.5 eV,光电导率σp为3.2×10-6Ω-1·cm-1,暗电导率σd为8.6×10-7Ω-1·cm-1,表明制备的材料是优质微晶硅薄膜材料。
- 高玉伟周炳卿张林睿张龙龙
- 关键词：微晶硅薄膜化学气相沉积热丝
