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余洋
作品数:
1
被引量:6
H指数:1
供职机构:
武汉大学物理科学与技术学院声光材料与器件教育部重点实验室
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
胡忠强
武汉大学物理科学与技术学院声光...
于本方
武汉大学物理科学与技术学院声光...
裴玲
武汉大学物理科学与技术学院声光...
李美亚
武汉大学物理科学与技术学院声光...
邱达
武汉大学物理科学与技术学院声光...
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武汉大学学报...
年份
1篇
2009
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Ho掺杂的BiFeO_3多铁陶瓷的制备及性能
被引量:6
2009年
用固相反应和快速退火冷却法制备了纯的BiFeO3(BFO)陶瓷和15%Ho掺杂的Bi0.85Ho0.15FeO3(BHFO)陶瓷,研究了室温下陶瓷的晶格结构及其铁电、介电、漏电和磁性能.结果表明,Ho掺杂有助于减少BiFeO3陶瓷中的杂相,改善其铁电、介电、漏电和磁性能.与BFO陶瓷相比,BHFO陶瓷具有典型的电滞回线;当电场强度为150 kV/cm时,其2Pr(剩余极化值)为15μC/cm2.同时,BHFO具有比BFO显著增大的介电常数和明显降低的介电损耗.磁性能测试表明,BHFO陶瓷表现出弱的铁磁性.
余洋
胡忠强
邱达
裴玲
于本方
李美亚
关键词:
铁电性
介电性
磁性
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