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凌芝

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国地质大学材料与化学学院更多>>
发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇碳
  • 1篇从头计算法
  • 1篇W
  • 1篇SIGE

机构

  • 1篇中国地质大学

作者

  • 1篇杨福华
  • 1篇谭劲
  • 1篇周成冈
  • 1篇凌芝

传媒

  • 1篇稀有金属

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SiGe合金半导体中自间隙缺陷和两种碳相关缺陷的计算研究
2009年
采用从头计算(abinitio)的方法对比研究了Si1-xGex合金半导体材料中W缺陷、CiCs缺陷和CiOi缺陷的性质。在Si1-xGex合金中,Ge原子不能与缺陷核心的C原子和O原子直接成键,但可能与W缺陷核心的间隙Si原子相连。在含CiOi缺陷的晶胞中,Ge原子倾向于取代沿[110]伸长方向的Si原子。随着合金中Ge含量的升高,W缺陷的形成能不断增加,结构稳定性逐渐降低。与W缺陷不同的是,CiCs缺陷和CiOi缺陷在不同Ge含量的Si1-xGex合金中形成能变化较小,变化幅度在0.15eV以内,理论研究结果与前人的实验结果相吻合。
杨福华谭劲周成冈凌芝
关键词：从头计算法
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