崔丽玲
- 作品数：7 被引量：5H指数：1
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- MX_(n)半导体层状材料层间热电性质预测
- 2022年
- 优质的热电材料要求具有“声子玻璃、电子晶体”特性,因此,基于第一性原理计算,提出在二元MX_(n)半导体层状材料中筛选具有上述特性材料的方法。因层间为范德华作用力,层状材料中面外方向的晶格热导率都非常低,是良好的“声子玻璃”材料。而面外方向的电子输运能力与M元素和原子距离相关。M为主族元素时(例如SnSe),因非局域的p_(z)轨道和较小的原子层间距离(小于4Å)使电子具有良好的层间输运性能。当M为过渡金属元素时(例如MoS_(2)),局域的d轨道和较大的阳离子层间距(大于6Å)使得电子无法在层间传输。通过阳离子M的层间距离大小和类型(主族元素还是过渡金属)可以对层状材料面外方向的热电性质进行判断,为筛选出有潜力的高ZT热电材料提供理论指导。
- 肖金陈敏敏张丹崔丽玲何军陈灵娜
- 关键词：层状材料晶格热导率电子输运第一性原理
- 硼氮掺杂对锯齿型硅烯纳米带器件中自旋输运的调控被引量：1
- 2020年
- 采用密度泛函理论和非平衡格林函数方法,研究了硼和氮原子单独掺杂对锯齿型硅烯纳米带器件中自旋输运行为的调控作用。研究发现硼和氮原子都是掺杂在锯齿型硅烯纳米带的边缘最稳定。硼和氮原子的掺杂区域对器件的自旋输运性质起着关键作用:当掺杂在器件的散射区时,可发现微小的自旋劈裂现象;但是当掺杂在电极区时,会出现较明显的自旋劈裂现象,相应的自旋过滤效率可高达100%。
- 张丹崔丽玲谭金桃肖金何军范志强罗小刚
- 关键词：掺杂第一性原理
- 薄膜厚度对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响被引量：1
- 2011年
- 采用直流磁控溅射技术,以氧化锌铝陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜样品。在其他参数不变的情况下,由不同溅射时间得到了不同厚度的薄膜,研究了薄膜的结构性质、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。实验结果表明:在薄膜厚度为500 nm时,ZAO薄膜具有最优化的光电性能,电阻率为1.68×10-3Ω.cm,可见光区平均透射率为90.3%。
- 李雪勇严钦云崔丽玲
- 关键词：ZAO薄膜薄膜厚度电学性能光学性能
- “一体两核四结合”的“原子物理学”线上线下混合教学模式的探索与实践被引量：1
- 2023年
- 本文依托“原子物理学”省级线上线下混合式一流课程的建设,借助尔雅通识网络课程平台,运用学习通智慧教学软件,积极开展了“原子物理学”混合教学模式的探索与实践.通过在线资源建设、教学模式探索、教学模式实践等过程,转变教学观念,创新构建了“一体两核四结合”混合教学模式,为地方高校进行线上线下混合教学模式的改革提供一定的参考与借鉴.
- 崔丽玲廖湘萍张国华张丹肖金
- 关键词：原子物理学教学改革
- 退火温度对Al掺杂ZnO薄膜结构和性能的影响被引量：2
- 2011年
- 采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜样品。其他参数不变,在不同的温度下对样品进行了退火处理,研究了薄膜的结构性质、电学和光学性质随退火温度的变化关系。实验结果表明:在退火温度为200℃时,ZAO薄膜具有较优的光电性能,其电阻率为9.62×10-5.cm,可见光区平均透射率为89.2%。
- 李雪勇崔丽玲严钦云
- 关键词：ZAO薄膜退火温度电学性能光学性能
- MoS2中带电点缺陷性能的理论研究
- 2020年
- 采用一个严谨的、透明的、与体系维度无关的带电缺陷计算理论TRSM模型,系统研究了MoS2中点缺陷的形成能。研究结果表明,单层MoS2的所有n型或p型固有缺陷电离能级都很深,并且S空位(VS)缺陷也不是实验观察到的n型导电性的起源。相反,H原子吸附在MoS2中具有非常低的离化能,可能是MoS2具有n型导电性的原因。
- 肖金陈敏敏张丹崔丽玲何军
- 关键词：二硫化钼形成能第一性原理
- 硼氮掺杂对八氢萘纳米带能带结构的调控
- 2022年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了硼原子和氮原子掺杂对八氢萘纳米带能带结构的调控作用。研究结果显示硼原子和氮原子掺杂可以有效地调控八氢萘纳米带的能带结构:单双硼氮原子掺杂可以实现对八氢萘纳米带能带的半导体化;掺杂原子的浓度对八氢萘纳米带能带结构也有影响,提高掺杂原子浓度可以获得与单原子掺杂完全不同的能带结构。
- 崔丽玲张丹肖金刘涛何军范志强
- 关键词：第一性原理计算
