斛彦生
- 作品数：18 被引量：18H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- X波段GaN千瓦级功率放大器的设计
- 2023年
- 为满足新型雷达对千瓦级大功率放大器的需求,采用0.25μm GaN HEMT工艺研制了一款输出功率大于2000 W的X波段内匹配功率放大器。通过背势垒层结构与双场板结构提高器件击穿电压,使GaN HEMT管芯的工作电压达到60 V。通过负载牵引得到管芯最优阻抗,采用T型匹配网络和功率分配/合成器将管芯阻抗匹配到50Ω。在工作电压60 V、占空比1‰、脉宽5μs测试条件下,9.0~9.4 GHz频段内输出功率大于2000 W,最大功率密度达到10.4 W/mm,功率增益大于7 dB,功率附加效率大于37.2%。
- 斛彦生黄旭王毅李剑锋倪涛银军郭艳敏
- 关键词：大功率X波段内匹配功率合成
- 基于非保偏光纤环腔的启钥式耦合光电振荡器被引量：1
- 2022年
- 耦合光电振荡器利用有源再生主动锁模技术极大地缩短了光纤环腔长度,有效提升了低相噪光电振荡器的集成度与稳定性。针对传统耦合光电振荡器存在的偏振敏感和超模杂散问题,本团队构建了基于180 m非保偏光纤环腔的启钥式耦合光电振荡器,实现了耦合光电振荡器的开机稳定起振和超模杂散抑制,产生的10 GHz射频信号相位噪声和杂散抑制比分别优于-125 dBc/Hz@10 kHz和76.3 dB。
- 刘京亮李晓琼戴键银军徐守利余若祺斛彦生许春良倪涛
- 关键词：光纤光学偏振不敏感
- 基于GaAs IPD的X波段200W GaN宽带功率放大器
- 2023年
- 基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)研制了一款X波段宽带内匹配大功率放大器。输入匹配电路采用高集成的GaAs集成无源元件(IPD)技术,在有限空间内实现宽带匹配。输出匹配电路采用L-C-L匹配网络及三节阻抗变换线,实现四胞匹配合成。该放大器封装在采用铜-钼铜-铜热沉的金属陶瓷管壳内,尺寸仅为24 mm×17.4 mm×5 mm。测试结果显示,在36 V漏极电压下,8.5~10.5 GHz频带内饱和输出功率大于200 W,功率附加效率≥38%,功率增益平坦度小于0.8 dB。该功率放大器具有广阔的工程应用前景。
- 黄旭银军余若祺斛彦生倪涛许春良
- 关键词：GAN内匹配宽带
- 电源调制管理压块及其制备方法
- 本申请适用于微波射频功率管及模块组件技术领域，提供了电源调制管理压块及其制备方法，该压块包括：压块盖板、电源管理电路元器件、电源管理电路板、电容、MOS管、电容电路板、MOS管电路板和压块壳体；压块壳体外侧设置有用于固定...
- 张一尘许春良斛彦生余若祺银军倪涛徐守利刘志军
- X波段小型化高集成度130W功放载片研制被引量：1
- 2019年
- 本文介绍了一种X波段小型化高增益高集成度功放载片的设计方法。该功率载片基于28V工作GaN功率单片和功率管芯,采用内匹配方式和混合集成电路形式,研制的四级放大链高集成度的功放载片,实现了X波段9.0~10.0GHz频段内,28V工作电压、150μs脉宽、25%占空比工作条件下,功率输出大于51.5dBm、功率增益大于33.5dB、功率附加效率大于33%的性能指标。功放载片尺寸20mm×12mm×2mm,实现了高增益高集成度的百瓦级功率载片的研制目标。
- 倪涛银军王毅余若祺李剑锋斛彦生李晶
- 关键词：GANX波段高集成度高增益小型化
- 实现L波段器件50Ω阻抗匹配的方法
- 本发明公开了一种实现L波段器件50Ω阻抗匹配的方法，涉及L波段器件匹配电路技术领域。所述方法包括如下步骤：在L波段器件的封装壳体内采用介电常数为30‑50的陶瓷基片作为衬底材料，通过T型网络将芯片的虚部阻抗抵消，实部阻抗...
- 银军寇彦雨段雪黄雒光余若祺张志国斛彦生吴志国刘新高学邦
- 文献传递
- S波段GaN高效率内匹配功率放大器的设计与实现被引量：10
- 2017年
- 本文研究了一种S波段320W GaN内匹配功率放大器。该器件基于自主研发36V工作的GaN HEMT管芯。以负载牵引结果为出发点,运用电子仿真技术对管芯进行了基波匹配,并针对管芯二次谐波阻抗进行了匹配优化,最终用功率分配/合成器进行了四路功率合成。在工作电压36V,占空比20%,脉宽400μs测试条件下,3.0~3.5GHz频段内输出功率大于320W(55d Bm),功率增益大于14d B,功率附加效率大于62%。
- 斛彦生余若祺银军张志国李静强黄雒光
- 关键词：GANHEMT内匹配功率合成
- 2~4GHz连续波120W GaN内匹配功率器件被引量：1
- 2021年
- 基于自主研制的0.25μm高压大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),采用LC低通谐振匹配技术和宽带功率合成技术,利用大栅宽HEMT有源模型以及键合线、电容和管壳等无源模型进行一体化仿真,匹配电路采用LC匹配网络和λ/4微带线将HEMT阻抗提高至50Ω,最终实现了连续波120 W宽带GaN功率器件。测试结果表明,该器件在36 V漏极工作电压和-2.0 V栅极工作电压下,2~4 GHz频带内连续波输出功率大于120 W,功率附加效率大于46%,功率增益大于9.5 dB,二次谐波抑制度大于20 dBc,杂波抑制度大于70 dBc。
- 张一尘吴景峰银军斛彦生
- 关键词：功率放大S波段GAN
- 0.2~2.0GHz100W超宽带GaN功率放大器
- 2024年
- 设计并实现了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的100 W超宽带功率放大器。基于SiC无源工艺设计了集成无源器件(IPD)输入预匹配电路芯片;设计了基于陶瓷基片的T型集成输出预匹配电路;基于建立的传输线变压器(TLT)的精确模型,设计了宽带阻抗变换器,在超宽频带内将50Ω的端口阻抗变换至约12.5Ω,再通过多节微带电路与预匹配后的GaN HEMT芯片实现阻抗匹配。最终,以较小的电路尺寸实现了功率放大器的超宽带性能指标。测试结果表明,功率放大器在0.2~2.0 GHz频带内,在漏极电压36 V、输入功率9 W、连续波的工作条件下,输出功率大于103 W,漏极效率大于50%,输入电压驻波比(VSWR)≤2.5。
- 张晓帆银军倪涛余若祺斛彦生王辉高永辉
- 关键词：功率放大器超宽带
- VHF频段小型化千瓦级GaN功率放大器
- 2024年
- 为了满足VHF频段对高功率放大器小型化的需求,设计并制备了一款基于05μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的VHF频段小型化千瓦级功率放大器。通过采用多节微带电容网络和高介电常数的印制电路板(PCB)实现了末级功率放大器匹配电路的小型化;以高通滤波器作为级间匹配电路,在减小电路尺寸的同时,提高了链路增益;采用混合集成工艺,实现了电源调制器、前级驱动功率放大器和末级功率放大器等各单元的小型化高密度集成。测试结果表明,在024~030 GHz频带内,该功率放大器的工作电压为50 V,工作脉宽为100μs,在占空比10%、输入功率10 dBm的工作条件下,带内输出功率大于1000 W,功率附加效率约为60%~69%,功率增益大于50 dB,功放体积为46 mm×30 mm×6 mm。
- 张晓帆默江辉高永辉高永辉倪涛余若祺斛彦生
- 关键词：千瓦级小型化VHF频段
