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李慧

作品数:11 被引量:34H指数:4
供职机构:国家工程研究中心更多>>
发文基金:包头市科技计划项目更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程金属学及工艺电气工程更多>>

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 4篇化学工程
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇生物学
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇陶瓷
  • 4篇稀土
  • 3篇合金
  • 2篇熔盐
  • 2篇熔盐腐蚀
  • 2篇热压
  • 2篇热压烧结
  • 2篇钕铁硼
  • 2篇力学性能
  • 2篇镁合金
  • 2篇
  • 2篇力学性
  • 1篇等静压
  • 1篇等静压成型
  • 1篇等离子
  • 1篇等离子喷涂
  • 1篇电池
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇电学

机构

  • 11篇国家工程研究...
  • 10篇包头稀土研究...
  • 2篇内蒙古科技大...
  • 1篇北京林业大学
  • 1篇天津包钢稀土...

作者

  • 11篇李慧
  • 10篇刘树峰
  • 10篇鲁飞
  • 8篇孙良成
  • 7篇刘小鱼
  • 6篇李慧
  • 2篇胡文鑫
  • 2篇王峰
  • 2篇张奇
  • 1篇陆海
  • 1篇郑天仓
  • 1篇刘迪
  • 1篇李慧
  • 1篇王小青
  • 1篇郑天仓
  • 1篇白洋
  • 1篇白洋
  • 1篇温永清
  • 1篇秦晓婷

传媒

  • 5篇稀土
  • 3篇材料导报
  • 1篇生物技术通报
  • 1篇中国陶瓷
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Gd0.2Ce0.8O1.9氧离子导体陶瓷片的制备
2019年
以草酸铈钆为初始原料,950℃煅烧处理后得到较大粒径的Gd0.2Ce0.8O1.9粉体,经等静压成型,烧结,切片工艺制备规格100×100 mm的Gd0.2Ce0.8O1.9氧离子导体陶瓷片,并分析试样的断口微观组织。测试结果显示,样品存在气孔,且晶粒之间接触紧密,相对密度92%以上,晶粒尺寸约为2.5μm^5μm,样品的断裂方式以穿晶断裂为主。通过阻抗分析仪测定了三个厚度(0.7 mm、0.9 mm、1.1 mm)的Gd0.2Ce0.8O1.9陶瓷片的电导率。结果表明,随着温度的升高,Gd0.2Ce0.8O1.9陶瓷片电导率逐渐增加,而厚度对陶瓷片电导率影响不大。
李慧李慧鲁飞刘树峰刘小鱼孙良成孙良成
关键词:等静压成型电导率
转录组分析转录因子AtbHLH68调控细胞壁发育的分子机制被引量:1
2023年
细胞壁是植物细胞特有的结构,在参与形态建成、水分和营养物质运输以及抵御生物和非生物胁迫中发挥重要作用。前人研究表明AtbHLH68作为bHLH蛋白的第10亚家族成员,在拟南芥茎维管组织中表达。为探究其在细胞壁发育方面的分子机制,本研究建立了雌二醇诱导pER8-AtbHLH68拟南芥表达系统,实时荧光定量PCR(RT-qPCR)结果显示,10μmol/L雌二醇处理4 h能够有效诱导AtbHLH68的表达,并且随着诱导时间的增加AtbHLH68的m RNA水平进一步积累,处理8 h后达到对照组29倍。利用转录组测序分析得到了在拟南芥茎中AtbHLH68诱导表达后产生的差异基因。与对照组相比,10μmol/L雌二醇处理8 h后,共得到差异基因2334个,其中831个基因显著上调,1503个基因显著下调。显著富集的GO词条主要与细胞壁组分、防御响应、果胶修饰与降解以及激素响应有关。KEGG分析表明DEGs参与了果胶修饰或木质素生物合成代谢等过程。这些结果表明参与以上过程的差异基因可能被AtbHLH68直接或间接调控,从而导致拟南芥茎细胞壁组分相关基因表达量的变化。该研究为阐明转录因子AtbHLH68在细胞壁发育中的分子机制提供了理论依据。
林红妍郭晓蕊刘迪李慧李慧
关键词:转录组细胞壁
氧化钇陶瓷的热压烧结和耐蚀行为被引量:7
2016年
采用热压烧结法制备氧化钇(Y_2O_3)陶瓷材料,并在1200℃氯化钙熔盐体系中进行腐蚀试验。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、等离子发射光谱仪等表征手段测试分析烧结试样的物相组成和显微结构以及腐蚀试样表层元素分布和熔盐中钇的溶出率。研究热压烧结温度对Y_2O_3陶瓷试样烧结行为和耐熔盐腐蚀性能的影响,探讨Y_2O_3陶瓷材料的熔盐腐蚀行为。结果表明,随着热压烧结温度的提高,Y_2O_3陶瓷的体积密度增加;1500℃热压烧结Y_2O_3陶瓷的相对密度达到96.82%,1200℃氯化钙熔盐腐蚀10 h,熔盐渗透深度大约在220 um左右,熔盐中Y溶出率为1.1 mg/g。
鲁飞刘树峰孙良成刘小鱼李慧王峰
关键词:Y2O3热压烧结氯化钙熔盐腐蚀
稀土掺杂NiCrSi高阻靶材制备及镀膜性能研究
2019年
采用真空热压烧结法制备稀土掺杂NiCrSi高阻合金靶材。利用X射线衍射仪、金相显微镜、扫描电镜、EDS能谱仪等表征手段测试分析靶材物相组成、显微组织及微区元素分布。同时将所制备靶材溅射沉积金属膜电阻器,研究稀土元素掺入种类对电阻器阻值稳定性的影响。结果表明,稀土掺杂NiCrSi高阻靶材由基体相CrSi2和少量的CrSi、Ni3Si相混合而成。靶材外观平整无裂纹,组织致密无孔隙,相对密度均在96%以上;晶粒尺寸约为20μm,大小分布均匀。掺入La、Ce、Pr、Nd后,靶材组织中Zr析出相减少,Zr元素偏聚分布得到显著改善。溅射沉积的金属膜电阻器电阻温度系数小于±25×10^-6/℃;与未添加稀土元素的NiCrSi电阻器相比,加入Pr后,电阻器电阻温度系数在高低温区差值降至22×10^-6/℃左右,变化幅度小,阻值稳定性高;加入Nd后,电阻温度系数差值变化幅度大,阻值稳定性较差。
鲁飞刘树峰李慧李慧刘小鱼孙良成
关键词:稀土热压烧结金属膜电阻器
稀土钐在镁合金中的应用研究被引量:11
2015年
概述了稀土元素钐的特性,分析了钐对镁合金的强化机制,列举了钐在Mg-Al、Mg-RE二元及MgRE多元合金系的应用研究现状。同时,对镁钐合金的目前存在的问题和未来研究方向做了总结和预测。
张奇孙良成鲁飞胡文鑫刘树峰李慧
关键词:镁合金力学性能合金化
稀土合金扩散烧结钕铁硼磁体研究进展
2024年
晶界扩散重稀土技术是制备高性能、低成本烧结钕铁硼永磁材料行之有效的方法,引起业内广泛关注并已实现产业化应用。本文综述了稀土合金扩散烧结钕铁硼磁体研究发展现状,重点阐述了合金扩散源在扩散磁体晶界结构优化及性能提升效果方面的技术优势,指出了磁控溅射技术在扩散磁体后处理加工方面的应用优势,同时对扩散磁体目前存在的主要问题和未来发展趋势进行了总结和展望。
鲁飞刘树峰李慧李慧赵娜娜李飞尹高天
关键词:稀土合金晶界扩散钕铁硼矫顽力
Sm对Mg-6Gd-3Y-0.5Zr铸态组织及性能的影响被引量:5
2015年
通过金相、SEM、XRD分析了铸态Mg-6Gd-3Y-xSm-0.5Zr(x=0,1,3,6)合金的微观组织,测试了该合金的室温力学性能。结果表明,第二相主要有Mg24Y5、Mg5Gd、Mg41Sm5,随着Sm含量的增加,合金第二相逐渐增多。随着Sm的增加,合金抗拉强度呈先升高后降低再回升的变化趋势。
张奇孙良成鲁飞胡文鑫刘树峰李慧王小青
关键词:镁合金力学性能
Mn含量对NdFeB磁体表面Al基防护涂层性能影响的研究被引量:1
2022年
采用等离子喷涂工艺在烧结NdFeB磁体表面喷涂不同Mn含量(Mn=0~30%(质量分数))的Al基防护涂层。利用X射线衍射仪、扫描电镜、显微硬度仪和多功能材料表面性能测试仪分析涂层物相组成、表面堆积状态、硬度和结合强度;采用动电位极化曲线和中性盐雾腐蚀试验测试涂层耐腐蚀性能,研究Mn含量对涂层防护性能的影响。结果表明,随着Mn含量的增加,涂层中硬脆Al-Mn系金属间化合物相逐渐增多,导致涂层硬度增加,高锰含量w(Mn)=25%,30%(质量分数)涂层表面出现裂纹。其中Mn含量为20%(质量分数)的喷涂防护涂层表面致密,无明显裂纹、孔隙缺陷,硬度值为400 HV以上,结合力>19 N,耐盐雾腐蚀时间达300 h,可以满足磁体表面高强耐蚀涂层防护需求。
李慧李慧鲁飞刘树峰温永清温永清
关键词:钕铁硼等离子喷涂耐蚀性
CIGS薄膜太阳能光伏产业发展现状被引量:5
2014年
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池以其柔性、低成本、发电性能稳定等优势成为硅基光伏电池的最佳替代品。概述了CIGS薄膜电池特性,列举了国内外产业发展状况。同时对CIGS薄膜电池产业化存在的问题和未来研发方向做了简要的总结和预测。
鲁飞刘小鱼孙良成王峰刘树峰李慧
关键词:CIGS薄膜电池
MnCoNiO陶瓷材料制备及其电学特性研究
2018年
采用固相反应法制备Mn1.47Co1.095-xNi0.435+x^O4(X=0~0.343)热敏陶瓷。利用XRD、SEM以及电性能测试等手段表征了陶瓷相组成、微观结构和材料的电学特性。结果表明:当Ni含量≤0.484(x=0.049)时,陶瓷体为单一尖晶石结构,并且随着Ni含量的增加,衍射峰强度逐渐增强;当Ni含量≥0.533(x=0.098)时,出现Mn2O3衍射峰,且随着Ni含量的进一步增加,Mn2O3衍射峰强度增强,尖晶石衍射峰强度减弱,陶瓷体为尖晶石和Mn2O3混合相。在1150℃到1250℃烧结温度范围内,通过调节Ni元素含量,Mn1.47Co1.095-xNi0.435+x^O4陶瓷室温电阻率从1815.3Ω·cm变化到171439Ω·cm。
李慧李慧鲁飞刘树峰刘小鱼孙良成
关键词:热敏陶瓷电学特性固相反应
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