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梁军

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：深圳信息职业技术学院更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 6篇文化科学
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 5篇导通
  • 4篇电阻
  • 3篇体育
  • 3篇教学
  • 3篇MOSFET...
  • 2篇导电类型
  • 2篇导通电阻
  • 2篇导通压降
  • 2篇低开关损耗
  • 2篇氧化层
  • 2篇镇流电阻
  • 2篇损耗
  • 2篇碳化硅
  • 2篇体育教学
  • 2篇天线
  • 2篇晶体管
  • 2篇开关损耗
  • 2篇教学改革
  • 2篇半导体
  • 1篇单粒子

机构

  • 20篇深圳信息职业...

作者

  • 20篇梁军
  • 15篇王新中
  • 1篇李春君
  • 1篇曾伟志
  • 1篇张晓菲
  • 1篇牛爱军

传媒

  • 1篇体育师友
  • 1篇深圳信息职业...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 10篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2020
  • 4篇2006
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有高角度稳定性的ATA型吸透一体结构单元及材料
一种具有高角度稳定性的ATA型吸透一体结构单元，包括从上到下排布的第一阻抗层、第二阻抗层和频率选择表面层；所述第一阻抗层由4个上下开口的相同立方体结构组成田字形，所述立方体侧面为第一介质层，同一立方体的两个相邻侧面外表面...
王新中梁军岳德武钟宏涛田径雷世文陈波杨伟张波
肖特基结辅助耗尽镇流电阻的碳化硅MOSFET器件及制备方法
本发明提供一种肖特基结辅助耗尽镇流电阻的碳化硅MOSFET器件，通过在N+源区与反型沟道之间引入镇流电阻区及肖特基接触，实现镇流电阻区耗尽自调节：阻断状态时，镇流电阻区上方的肖特基/碳化硅接触界面电场较小，实现低泄漏电流...
王新中李轩娄谦杨正羽梁军岳德武王卓张波
沟槽型碳化硅绝缘栅控场效应晶体管及其制备方法
本发明提供一种沟槽型碳化硅绝缘栅控场效应晶体管及其制备方法，通过引入双沟槽结构及P型侧墙区实现P+屏蔽层状态自动切换：阻断状态时，P+屏蔽层通过P型侧墙区连接到P型基区，有效屏蔽栅氧化层电场；正向导通时，P型侧墙区完全耗...
王新中李轩娄谦梁军岳德武王卓张波
试论二年制高等职业学校的体育教学改革
2006年
二年制高职学校学制的调整,必然牵制着学校教育教学的深化改革。学校体育教学应结合二年制高职学校教育教学的特点,针对传统体育教学中存在的弊端,实施全方位的改革。本文从教学思想、教学内容、教学模式和师资队伍建设等方面阐述了如何进行体育教学改革。二年制体育教学改革必须立足素质教育,突出自身发展特点和规律,帮助发展学生个性。
梁军
关键词：体育教学
基于深槽分区氧化的高压BCD半导体器件及制造方法
本发明提供一种基于深槽分区氧化的高压BCD半导体器件及制造方法，能够在一块芯片上同时集成高压LDMOS、低压CMOS、低压NPN等半导体器件，将应用在模拟电路中的Bipolar器件、开关电路中的功率器件、逻辑电路中的CM...
王新中章文通吴凌颖刘雨婷梁军岳德武王卓张波
一种阵列天线宽波束增益优化方法
本发明属于阵列天线技术领域，尤其是涉及一种阵列天线宽波束增益优化方法。本发明直接以阵列天线的功率增益表达式为约束对象，通过对阵元因子的优化加权，在同等主瓣增益的情况下，进一步降低副瓣电平。本发明的有益效果为，本发明直接以...
王新中梁军岳德武雷世文陈波杨伟田径张波
一种高可靠GaN HEMT结构
本发明提供一种高可靠GaN HEMT结构，包括：P‑Si衬底、AlN过渡层、GaN Buffer层、GaN Channel层、AlGaN势垒层、p‑GaN层、栅源侧钝化层、栅漏侧钝化层、第一AlN埋层、源极金属、漏极金属...
王新中周锌姜清辰梁军岳德武王卓张波
一种新型篮球架及篮球
本实用新型公开了一种新型篮球架及篮球，该篮球架包括第一底座，所述第一底座的底部设置有带刹万向轮，第一底座的顶部固定有外筒，所述外筒内插入有L型杆，所述L型杆的拐角处设置有加固杆，L型杆的顶端固定有第一电机，所述第一电机的...
孙剑曾伟志张晓菲牛爱军梁军石大玲李春君郑思婷张嘉琪
文献传递
一种具有自动化分拣功能的智能制造用物料传送设备
本发明公开了一种具有自动化分拣功能的智能制造用物料传送设备，涉及物料传送设备技术领域。该具有自动化分拣功能的智能制造用物料传送设备，包括第一支撑部，所述第一支撑部与驱动电机传动连接，所述第一支撑部通过输送带与第二支撑部传...
王新中孙勇郭秋泉张立文梁军
文献传递
双级沟槽栅碳化硅MOSFET及其制备方法
本发明涉及一种双级沟槽栅碳化硅MOSFET及其制备方法，通过引入双级栅沟槽及其下方的电流扩展层以同时实现高阻断电压、低栅氧化层电场及低导通电阻：阻断状态时，P+屏蔽层通过P型侧墙区连接到P型基区，有效屏蔽栅氧化层电场；正...
王新中李轩娄谦梁军岳德武王卓张波
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