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涂超

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：四川师范大学物理与电子工程学院更多>>
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇自旋
  • 1篇自旋哈密顿参...
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体场
  • 1篇晶体场理论
  • 1篇局域结构
  • 1篇哈密顿
  • 1篇VO
  • 1篇6H2O
  • 1篇参量

机构

  • 1篇四川师范大学

作者

  • 1篇谢林华
  • 1篇涂超

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2016
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排序方式：
晶体(ZnKPO_4·6H_2O)∶VO^(2+)的自旋哈密顿参数及局域结构
2016年
基于晶体场理论和电荷转移机制,采用双旋-轨耦合参量模型的3d^1离子在D_(4h)对称的晶场中自旋哈密顿参量的高阶微扰公式和晶场能级公式,计算了(ZnKPO_4·6H_2O)∶VO^(2+)晶体的光吸收谱和自旋哈密顿参量。本文不仅考虑了晶场机制,同时也考虑了电荷转移机制。计算结果与实验数据是一致的。说明电荷转移机制对(ZnKPO_4·6H_2O)∶VO^(2+)晶体的自旋哈密顿参量的结果有不可忽略的作用。
涂超谢林华杜香容
关键词：自旋哈密顿参量晶体场理论
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