王永远
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
- 供职机构：贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金贵州省科技攻关计划贵州省国际科技合作计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- Mg2Si／Si异质结的制备被引量：2
- 2013年
- 采用射频磁控溅射和低真空退火方法制备Mg2Si／Si异质结，首先在n型Si（111）衬底上沉积Mg膜，经低真空退火形成Mg2Si／Si异质结，Mg膜厚度约为484nm，退火后形成的Mg2Si薄膜厚度约400nto，利用xRD和sEM分别研究了Mg2Si薄膜的晶体结构和表面形貌，霍尔效应结果表明，制备的Mg2Si薄膜呈现n型导电特性。
- 王永远谢泉
- 关键词：磁控溅射MG2SISI异质结输运性质
- K掺杂正交相Ca_2Si电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量：5
- 2012年
- 采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似(GGA),对K掺杂正交相Ca2Si前后的电子结构和光学性质进行比较分析。计算表明,掺K后正交相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的p型半导体,禁带宽度为0.4318 eV,光学带隙变宽;掺杂K后价带主要是Si的3p态,Ca的3d、4s态以及K的3p、4s态的贡献。并利用计算的能带结构和态密度分析了K掺杂正交相Ca2Si前后的复介电函数、能量损失函数、反射光谱及吸收光谱,结果显示掺K增强了材料对太阳光谱中红外波段的能量利用。研究结果说明掺杂是改变材料电子结构和光电性能的有效手段,为Ca2Si材料光电性能的开发与应用提供了理论依据。
- 丰云谢泉高冉沈向前王永远陈茜
- 关键词：掺杂电子结构光学性质第一性原理
- K掺杂立方相Ca2Si电子结构及光学性能的研究被引量：5
- 2012年
- 基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,采用广义梯度近似（GGA）对掺K的立方相Ca2Si的电子结构和光学性能,包括能带结构、态密度、介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率及能量损失函数进行理论计算,结果表明,掺K后立方相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的P型半导体,禁带宽度为0.6230eV,光学带隙变宽,价带主要是Si的3p、Ca的4s、3d以及K的3p、4s态的贡献;静态介电函数ε1（0）=14.4;折射率n0=3.8;吸收系数最大峰值为3.47×105cm-1。通过掺杂调制材料电子结构和光电性能,为Ca2Si材料光电性能的开发与应用提供了理论依据。
- 丰云谢泉高冉王永远沈向前陈茜
- 关键词：掺杂电子结构光学性质第一性原理
