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王淑玲

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：上海理工大学光电信息与计算机工程学院更多>>
发文基金：上海市浦江人才计划项目上海市教育委员会创新基金上海市教育发展基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇载流子
  • 1篇增益
  • 1篇砷化镓
  • 1篇谱学
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱学
  • 1篇非平衡载流子

机构

  • 1篇上海理工大学
  • 1篇上海交通大学

作者

  • 1篇陈麟
  • 1篇张大伟
  • 1篇何波涌
  • 1篇朱亦鸣
  • 1篇倪争技
  • 1篇王淑玲

传媒

  • 1篇中国激光

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
砷化镓内电子谷间散射引起的增益被引量：6
2010年
运用时域太赫兹波谱法,低温(10 K)高电场下本征砷化镓中受飞秒激光脉冲激发的电子所辐射出的太赫兹波被准确地测量出来。从样品中辐射出的和电子加速度/减速度成正比的太赫兹电磁波,表现出双极特性。通过分析砷化镓中辐射出的太赫兹波的傅里叶变换谱,在实验上得到阶跃电场下的砷化镓内因电子谷间散射而引起的增益极限频率,可以达到约750 GHz(10 K)。同时通过测量极限频率和温度的关系,发现极限频率是电子经由纵光学声子从L谷到Γ谷的散射能量弛豫过程所需要的时间决定的。通过理论计算电子在Γ谷的弹道加速、电子谷间散射和电子经由纵光学声子连续散射在Γ谷的弛豫等过程的时间得出的增益极限频率与实验值吻合得较好。
倪争技陈麟王淑玲张大伟何波涌朱亦鸣
关键词：光谱学砷化镓增益非平衡载流子
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