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胡伟

作品数:7 被引量:11H指数:2
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
发文基金:四川省国际科技合作与交流研究计划项目中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 3篇收发
  • 2篇短距离
  • 2篇阵列
  • 2篇甚短距离
  • 2篇收发模块
  • 2篇探测器
  • 2篇探测器阵列
  • 2篇激光器阵列
  • 2篇光收发模块
  • 2篇12
  • 1篇多量子阱
  • 1篇信道
  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩光电二极...
  • 1篇制冷
  • 1篇制冷器
  • 1篇生长温度
  • 1篇收发组件

机构

  • 7篇重庆光电技术...
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 7篇胡伟
  • 5篇周本军
  • 2篇张雪芹
  • 2篇黄雨新
  • 1篇叶嗣荣
  • 1篇李洪玉
  • 1篇曾庆高
  • 1篇刘必晨
  • 1篇杨立峰
  • 1篇蒋东新
  • 1篇饶垚

传媒

  • 4篇半导体光电
  • 1篇电声技术
  • 1篇光子学报
  • 1篇信息通信

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2020
  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2011
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
200 Gbit/s PAM4光发射组件封装技术研究被引量:1
2023年
针对200 Gbit/s PAM4光收发模块的设计需求,提出了一种基于四阶脉冲幅度调制(PAM4)、数据传输速率达200 Gbit/s的光发射组件封装方案。该封装内部集成了4路PAM4电/光转换通道,单通道数据传输速率为50 Gbit/s。介绍了该200 Gbit/s PAM4光发射组件的组成和技术难点,然后对其中的50 Gbit/s数据传输通道进行了建模、仿真和优化,最后完成了样品的测试。测试结果表明:样品的单通道PAM4数据速率可达50 Gbit/s,整体PAM4数据速率可达200 Gbit/s,满足光收发模块的设计需求。
周本军胡伟胡俊豪
关键词:光发射组件光收发模块
40 Gbit/s甚短距离并行光发送模块的研制被引量:1
2011年
基于VCSEL激光器阵列,设计和制作了一种12信道的40 Gbit/s甚短距离并行光发送模块。模块单信道传输速率大于3.5 Gbit/s,12信道并行总传输速率高达40 Gbit/s。并行光发送模块以其高速率、高集成度以及低成本等特点,为短距离高速率并行光传输提供最具竞争力的解决方案之一。
胡伟蒋东新张雪芹刘必晨
关键词:VCSEL甚短距离并行光传输
半导体激光器自动温度控制技术研究被引量:4
2020年
为了保证CWDM4半导体激光器的工作性能稳定,设计了一种高集成、高精度的自动温度控制系统。首先介绍了热电制冷器(TEC)的工作原理,然后设计了基于SLM8834 TEC控制器的温度检测电路和自动温度控制电路。实验结果表明,温控精度可达±0.1℃,激光器的发射波长稳定,有利于延长激光器的工作寿命。
胡伟周本军黄雨新
关键词:半导体激光器热电制冷器
高灵敏度光收发组件自动温度控制技术研究
2023年
为了实现数字信号长距离和高可靠的传输,设计了一种高灵敏度、高集成的数字光收发组件。介绍光收发组件的工作原理,设计基于分布式反馈激光器(Distributed Feedback Laser,DFB)和雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)探测器的高灵敏度光收发组件,详细分析其中自动功率控制功能、消光比自动控制以及自动APD升压控制的设计。实验结果表明,温控精度可达±0.1℃,组件工作稳定,可以满足数字信号高灵敏度和长距离的传输需求。
胡伟李兴红周本军
40 Gbit/s多路并行光收发模块的研制被引量:2
2017年
基于VCSEL激光器阵列和PIN探测器阵列,设计和制作了40Gbit/s甚短距离的4通道发射4通道接收并行光收发模块。通过高速电路信号仿真设计,解决了信号完整性、串扰和电磁兼容等问题;通过键合金丝长度设计增加了通道带宽。光模块单通道传输速率可达到5Gbit/s,8通道并行总传输速率达到40Gbit/s,实现了并行光收发模块高速率、高密度、高可靠性以及小体积设计,为甚短距离高速数据处理和传输提供了高可靠的多路数据链接。
张雪芹周本军胡伟饶垚
关键词:激光器阵列探测器阵列
GaAs/Al_xGa_(1-x)As多量子阱外延结构及其LP-MOCVD生长工艺研究被引量:1
2017年
在低压金属有机化学气相沉积生长工艺中,对用于制作850nm垂直腔面发射激光器件的GaAs/Al_xGa_(1-x)As多量子阱外延结构的生长温度、反应室压力、总载气流量以及生长速度等主要工艺参量进行优化,并进行了完整外延结构的生长.实验结果表明:在700℃条件下,得到多种组分的GaAs/Al_xGa_(1-x)As多量子阱结构,通过光致发光谱对比测试得到的最佳组分x为0.24,同时得到良好的表面形貌,最终确定的最佳生长速度为0.34~0.511nm/s.
胡伟曾庆高叶嗣荣杨立峰
关键词:金属有机化学气相沉积生长温度多量子阱
120Gbit/s甚短距离并行光模块的研制被引量:3
2015年
基于12通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列和12通道PD探测器阵列,设计制作了120Gbit/s甚短距离的12通道并行光发送模块和12通道并行光接收模块。基于电磁场、传输线理论的信号完整性设计,减小了通道间串扰;利用过孔模型分析和阻抗设计,解决信号反射问题;且通过减小金丝直连长度等手段增加了通道带宽。光模块单通道传输速率不小于10Gbit/s,12通道并行总传输速率高达120Gbit/s。并行光模块具有高速率、高集成度以及低成本等特点,为短距离高速率并行光传输系统提供具竞争力的解决方案。
胡伟周本军李洪玉黄雨新
共1页<1>
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