薛小琳
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 供职机构：清华大学电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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- 基于BCl_3感应耦合等离子体的蓝宝石光滑表面刻蚀被引量：1
- 2007年
- 利用Ar/BCl3、Cl2/BCl3和SF6/BCl3感应耦合等离子体(ICP),研究了蓝宝石(Al2O3)材料的干法刻蚀特性。实验表明,优化BCl3含量(80%),可以提高对Al2O3衬底的刻蚀速率;在BCl3刻蚀气体中加入20%的Ar气可以在高刻蚀速率下同时获得优于未刻蚀Al2O3衬底表面的光滑刻蚀表面和较好的刻蚀侧壁,原子力显微镜(AFM)分析得到最优刻蚀平整度为0.039nm,俄歇电子能谱(AES)分析其归一化Al/O原子比为0.94。
- 薛小琳韩彦军张贤鹏江洋马洪霞刘中涛罗毅
- 关键词：刻蚀速率
- 热退火对Mg掺杂InGaN/GaN异质结特性的影响
- 2007年
- 系统地研究了氧气氛围中退火温度对Mg掺杂InGaN/GaN异质结电学特性及光学性能的影响。电流电压特性和表面方块电阻的测试表明,与p-GaN相比,p-InGaN/GaN异质结的最佳退火温度较低,而且容易与非合金化的Ni/Au电极形成欧姆接触。分析认为InGaN具有的较小带隙能量和p-InGaN/GaN异质结中存在强烈的极化效应以及InN较高的平衡蒸汽压是引起以上结果的主要原因。p-InGaN/GaN异质结10 K的光致荧光光谱中存在两个分别位于2.95eV和2.25 eV的发光峰,随着材料退火温度的提高,这两个发光峰的强度逐渐降低。提出了类施主补偿中心参与的与H相关的络合物与Mg受主的复合发光机制,对退火前后光致荧光光谱的变化进行了解释。
- 刘中涛韩彦军张贤鹏薛小琳陈栋汪莱罗毅
- 关键词：退火光致荧光欧姆接触
- ICP刻蚀p-GaN表面微结构GaN基蓝光LED被引量：5
- 2008年
- 采用基于Cl2/Ar/BCl3气体的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3μm、周期6μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED,研究了刻蚀深度对光荧光(PL)和发光二极管(LED)光电特性的影响。结果表明,刻蚀深度为25 nm的表面微结构,与传统平面结构相比,其PL增强了42.8%;而采用ITO作为透明电极的LED,在20 mA注入电流下,正面出光增强了38%、背面出光增强了10.6%,同时前向电压降低了0.6 V,反向漏电流基本不变。
- 张贤鹏韩彦军罗毅薛小琳汪莱江洋
- 关键词：氮化镓基发光二极管湿法腐蚀
- 基于图形衬底生长的GaN位错机制分析被引量：4
- 2008年
- 采用缺陷选择性腐蚀法结合光学显微镜及原子力显微镜(AFM)对金属有机化合物气相外延(MOVPE)在蓝宝石图形衬底(PSS)上生长的非掺杂GaN体材料的位错产生机制进行了研究,分析结果表明,位错来源于三个方面:一是"二步法"生长机制引入的位错;二是是由于图形衬底上不同区域GaN晶体相互连接时由于晶面不连续所造成的位错群;三是由于图形衬底制作工艺过程中引入的表面污染与损伤。
- 江洋罗毅薛小琳汪莱李洪涛席光义赵维韩彦军
- 关键词：图形衬底位错
