贺盛
- 作品数：2 被引量：6H指数：2
- 供职机构：江苏科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 相关领域：化学工程金属学及工艺更多>>
- 负偏压对磁控溅射制备Ru薄膜微结构、膜基结合力及耐蚀性能的影响被引量：5
- 2016年
- 采用磁控溅射法在Mo衬底上制备了不同负偏压的Ru薄膜,利用XRD、台阶仪、XPS、AFM、纳米划痕仪和电化学工作站对薄膜相结构、表面形貌、膜基结合力以及腐蚀电化学性能进行了研究.结果表明：当负偏压在0~100 V时,薄膜六方结构（hcp）,具有（002）择优取向.随负偏压的升高,薄膜中出现面心立方（fcc）Ru O2相,此时薄膜两相共存,即hcp-Ru＋fcc-Ru O2.薄膜表面粗糙度随负偏压的升高先降低后升高,当负偏压为100 V时,薄膜表面粗糙度最低,其最低值为0.639 nm.薄膜的膜基结合力及在3.5%Na Cl溶液中的耐蚀性能先升高后降低,当负偏压为100 V时,膜基结合力及耐蚀性能最佳.
- 许俊华薛雅平鞠洪博贺盛陈敏郭丽萍喻利花
- 关键词：磁控溅射耐蚀性能
- 本底真空度对磁控溅射制备Ru薄膜微观结构、膜基结合力及耐蚀性能的影响被引量：2
- 2016年
- 采用射频磁控溅射法在功率用半导体散热片Mo上制备了不同本底真空度的Ru薄膜,利用能谱仪、X射线衍射仪、纳米划痕仪及电化学工作站等仪器研究了本底真空度对Ru薄膜化学成分、微观结构、膜基结合力及耐蚀性能的影响。结果表明,随着本底真空度的降低,Ru薄膜中氧含量逐渐降低,当本底真空度为6.0×10-4Pa时,薄膜中氧含量为0%(原子分数);当本底真空度为6.0×10-2Pa时,薄膜两相共存,即hcp-Ru+fcc-RuO_2,此时,薄膜中RuO_2的相对质量分数约为13.7%;随着本底真空度的降低,薄膜中fcc-RuO_2相对质量分数逐渐减少,当本底真空度为6.0×10-4Pa时,薄膜中fcc-RuO_2相消失,为hcp-Ru单一相结构;受RuO_2相的影响,薄膜晶粒尺寸及膜基结合力随本底真空度的降低而逐渐增加。研究表明,在3.5%Na Cl溶液,本底真空度为6.0×10-4Pa的Ru薄膜耐蚀性能优于Mo衬底。
- 鞠洪博贺盛陈彤陈敏郭丽萍喻利花许俊华
- 关键词：射频磁控溅射耐蚀性能
