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高菊

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：重庆大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇带隙电压基准
  • 1篇电压基准
  • 1篇曲率补偿
  • 1篇温度系数
  • 1篇二阶曲率补偿
  • 1篇CADENC...
  • 1篇CMOS

机构

  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇重庆大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇周玮
  • 1篇高菊

传媒

  • 1篇现代电子技术

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种高精度的CMOS带隙电压基准被引量：3
2010年
介绍一种采用二阶补偿技术的带隙电压基准电路。基于一阶曲率补偿的带隙电压基准,利用晶体管基极-发射极电压Vbe与温度T的非线性关系,通过PTAT2电路补偿Vbe的二阶项,从而改善了基准电压的温度特性。Cadence软件仿真结果表明,工作电压为5 V,在-35^+110℃的温度范围内,其温度系数可达2.89 ppm/℃。
高菊周玮
关键词：带隙电压基准二阶曲率补偿温度系数CADENCE
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