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刘雪花

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：广州大学华软软件学院更多>>
发文基金：广州市天河区科技计划项目广东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导电薄膜
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电薄膜
  • 1篇SNO
  • 1篇SNO2薄膜
  • 1篇掺杂改性

机构

  • 1篇广州大学
  • 1篇华南师范大学

作者

  • 1篇赵灵智
  • 1篇刘咏梅
  • 1篇刘雪花

传媒

  • 1篇电子工艺技术

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SnO_2透明导电薄膜掺杂改性的研究进展被引量：2
2015年
Sn O2薄膜是一种宽禁带半导体材料(3.6 e V),且在平板显示器、太阳能电池和光电子器件等领域有着广阔的应用前景,引起了国内外极大的关注。目前,所制备的本征Sn O2薄膜的载流子浓度为8.52×1020 cm-3;经过n型化后Sn O2薄膜的载流子浓度可达1021 cm-3。所制备的本征Sn O2薄膜的带隙为3.6 e V,经过p型化后Sn O2薄膜的带隙可达3.8 e V。鉴于Sn O2导电薄膜光电性质的重要性,就Sn O2薄膜的制备方法、n型化和p型化掺杂改性进行了综述。
刘咏梅赵灵智刘雪花
关键词：SNO2薄膜掺杂改性
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