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吴益竹

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子迁移率
  • 1篇砷化镓
  • 1篇迁移率
  • 1篇赝配高电子迁...
  • 1篇晶体管
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇GAAS_P...

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇张力江
  • 1篇王静辉
  • 1篇吴益竹

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaAs PHEMT栅选择腐蚀工艺研究
2008年
基于GaAs PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)材料结构的设计,材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层。经过大量的实验和腐蚀液体系的选取,完成了GaAs PHEMT工艺中能用于大批量生产的栅加工工艺。利用选择腐蚀终止层可以很容易地达到夹断电压和漏极电流的批量生产的一致性。本研究利用磷酸腐蚀液体系,在材料的设计中增加了InxGa1-xP腐蚀终止层,结果达到了预期目的,并已用于GaAs 0.25μm PHEMT标准工艺的生产中,获得了良好的经济效益。
王静辉张力江吴益竹
关键词：赝配高电子迁移率晶体管砷化镓
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共1页<1>
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