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吴素贞

作品数：31 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 15篇电子电信

主题

  • 10篇单粒子
  • 7篇电路
  • 7篇反熔丝
  • 6篇淀积
  • 6篇集成电路
  • 5篇多晶
  • 5篇总剂量
  • 4篇电路技术
  • 4篇通孔
  • 4篇开关器件
  • 4篇抗辐射
  • 4篇集成电路技术
  • 4篇功率开关
  • 4篇功率开关器件
  • 4篇功率器件
  • 4篇VDMOS
  • 3篇单粒子烧毁
  • 3篇退火
  • 3篇总剂量辐照
  • 3篇晶圆

机构

  • 31篇中国电子科技...
  • 1篇东南大学

作者

  • 31篇吴素贞
  • 22篇徐海铭
  • 22篇洪根深
  • 20篇徐政
  • 11篇赵文彬
  • 8篇谢儒彬
  • 8篇郑若成
  • 5篇刘国柱
  • 5篇王印权
  • 5篇李燕妃
  • 4篇贺琪
  • 3篇封晴
  • 3篇孙杰杰
  • 3篇马金龙
  • 2篇徐睿
  • 2篇王栋
  • 2篇于跃
  • 1篇于宗光
  • 1篇徐大为
  • 1篇李冰

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇电子与封装
  • 1篇集成电路与嵌...

年份

  • 2篇2024
  • 6篇2023
  • 5篇2022
  • 3篇2021
  • 5篇2020
  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种MTM反熔丝FPGA的编程方法
本发明公开一种MTM反熔丝FPGA的编程方法，属于可编程反熔丝技术领域。对于每一个反熔丝的编程，先施加正向编程脉冲，然后再施加反向编程脉冲；其中，对选定编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前，对布线轨线进行预充电；对选定编程...
马金龙赵桂林吴素贞隽扬封晴杨霄垒孙杰杰曹靓
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一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法
本发明涉及一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，包括：对欲编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前先进行编程预充电；上一个编程脉冲完成后，施加下一个编程脉冲之前先给PROM电路一定的热弛豫时间；将编程脉冲进行分组，两个一组...
马金龙孙杰杰封晴吴素贞于跃王栋徐睿
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VDMOS单粒子效应简化电路模型研究
2024年
通过在功率VDMOS器件的等效电路模型中引入电阻分析器件的表面电压对其单粒子效应的影响。根据仿真数据,分析颈区宽度、P+注入和反向传输电容等参数对器件的影响,设计了250 V器件并进行辐照试验。仿真结果及试验结果与模型分析的结论一致:辐照条件下,表面电压由电阻分压确定;增加P+注入剂量和减小颈区条宽能够减小电阻,提高器件抗单粒子效应的能力;通过降低颈区浓度减小反向传输电容的方法,无法提高器件的抗SEE能力;颈区条宽增加,器件辐照后漏电增加。
徐大为徐政吴素贞陈睿凌赵小寒彭宏伟
关键词：功率VDMOS器件单粒子效应
一种MOSFET功率器件的制备方法
本发明提供了一种MOSFET功率器件的制备方法，属于集成电路技术领域。对器件敏感区域注入光刻，形成RH光罩的图形；按照RH光罩的图形注入非活性杂质离子。使得MOSFET功率器件的敏感区增加了外延硅层的缺陷数量，降低其在单...
徐海铭吴素贞洪根深吴建伟徐政刘国柱李燕妃
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一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法
本发明公开一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法，属于功率开关器件技术领域。通过在n<Sup>+</Sup>型GaN衬底和n<Sup>‑</Sup>型GaN外延层中间插入一定厚度的高掺杂的n型GaN缓冲层，并结...
吴素贞徐政徐海铭洪根深贺琪赵文彬吴建伟谢儒彬
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抗单粒子失效的高压增强型GaN功率HEMT器件的制作方法
本发明公开一种抗单粒子失效的高压增强型GaN功率HEMT器件的制作方法，属于功率开关器件技术领域。提供外延基片，在所述外延基片上形成AlN成核层和GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上制作选区背势垒埋层；继续外延生长非掺杂G...
吴素贞徐政徐海铭洪根深赵文彬吴建伟谢儒彬
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一种抗单粒子烧毁的VDMOS器件场区结构的制备方法
本发明公开一种抗单粒子烧毁的VDMOS器件场区结构的制备方法，属于功率开关器件领域。提供硅晶圆材料，在硅晶圆材料中进行P<Sup>+</Sup>注入形成P<Sup>+</Sup>低阻层；进行N<Sup>+</Sup>注入...
徐政吴素贞洪根深
通孔上MTM反熔丝结构及其制备工艺
本发明涉及一种通孔上MTM反熔丝结构及其制备工艺，其包括衬底以及位于所述衬底上的器件层；在所述器件层上压盖有熔丝封体，在所述熔丝封体内设有熔丝下电极，在所述熔丝封体外设有熔丝上电极，所述熔丝上电极位于熔丝下电极的正上方；...
王印权郑若成洪根深赵文彬徐海铭吴素贞
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一种通孔下MTM反熔丝的制备方法
本发明公开一种通孔下MTM反熔丝的制备方法，属于半导体制造技术领域。首先在衬底材料上依次形成金属间介质层和下极板导电层，在所述下极板导电层表面淀积下极板阻挡层，在下极板阻挡层上形成凹槽窗口；然后在形成凹槽窗口的下极板阻挡...
郑若成王印权吴素贞刘佰清郑良晨洪根深
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基于多晶硅化物连线的抗单粒子辐射VDMOS器件制造方法
本发明公开一种基于多晶硅化物连线的抗单粒子辐射VDMOS器件制造方法，属于功率开关器件领域。首先提供硅晶圆材料，通过P<Sup>+</Sup>注入形成P<Sup>+</Sup>低阻；接着在P<Sup>+</Sup>低阻表...
徐政吴素贞洪根深谢儒彬张庆东徐海铭廖远宝唐新宇
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