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周伟民

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：中国博士后科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇阵列
  • 1篇相变材料
  • 1篇UV
  • 1篇IL

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇上海市纳米科...

作者

  • 1篇张挺
  • 1篇刘彦伯
  • 1篇宋志棠
  • 1篇周伟民

传媒

  • 1篇微细加工技术

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
利用压印技术制备大面积相变材料阵列
2008年
采用高效、低成本的紫外压印技术（UV—IL）在2in．Si／SiO2基Ti／TiN／Si2Sb2Te5（SST）多层膜表面制备了密度为3．8M／In^2的AMONIL点阵结构，并通过反应离子刻蚀得到相变材料SST阵列；电阻与脉冲宽度特性测得SST基PCRAM存储单元SET／RESET电阻值变化约30倍，Ⅰ—Ⅴ特性表明，阈值电压为1．18V。此外，时间分辨XRD原位加热情况下SST薄膜结构变化说明，SST材料的相变发生在200℃～300℃之间。
刘彦伯钮晓鸣宋志棠闵国全万永中张静周伟民李小丽张挺张剑平
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