您的位置： 专家智库 > >

张乐陶

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学信息工程学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电特性
  • 1篇氧化铟
  • 1篇紫外探测
  • 1篇自对准
  • 1篇自对准结构
  • 1篇晶体管
  • 1篇交叠
  • 1篇光电
  • 1篇光电特性
  • 1篇非晶
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇镁
  • 1篇GZO
  • 1篇A-I
  • 1篇TFTS

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇张盛东
  • 2篇张乐陶
  • 1篇肖祥
  • 1篇邵阳
  • 1篇周航
  • 1篇卢慧玲

传媒

  • 1篇光电子技术
  • 1篇2014中国...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
非晶氧化铟镁薄膜晶体管的光电特性研究被引量：1
2017年
研究了氧化铟镁(MgInO)薄膜晶体管在不同波长下的光响应。实验表明,入射光波长减小,光电流将增加。和积累区相比,耗尽区具有更高的信噪比,更适合于紫外探测。器件在短波时具有较大的响应度(>1A/W),截止波长在360nm左右。同时研究了源漏电压和沟道长度对光电流的影响。光电流与源漏电压之间具有良好的线性关系;沟长变短,渡越时间减小,可获得更高的光电增益。
卢慧玲张乐陶周航张盛东
关键词：薄膜晶体管紫外探测光电特性
栅与源/漏交叠对自对准a-IGZO TFTs性能的影响
本文研究了自对准结构非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFTs)栅极与源极/漏极的交叠长度Lov对器件性能的影响.背面曝光光刻技术被采用以制备自对准的底栅底接触a-IGZO TFTs.通过变化光刻工艺中背面曝光的时间...
肖祥邵阳贺鑫邓伟岳仑仑张曙光张乐陶王龙彦张盛东
关键词：自对准结构
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0