张艳茹
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 供职机构：西安工业大学光电工程学院陕西省薄膜技术与光电检测重点实验室更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅科研计划项目陕西省科学技术研究发展计划项目更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺更多>>
- Ar/CH_4流量比对a-C∶H薄膜沉积速率及性能的影响
- 2012年
- 为研究气体流量比对非平衡磁控溅射沉积含氢类金刚石薄膜(Diamond-Like Carbon,DLC)沉积速率及性能的影响,在不同Ar/CH4流量比条件下将a-C∶H沉积在单晶硅基底,采用傅里叶红外光谱、椭偏仪、表面轮廓仪对薄膜的沉积速率、光学特性及表面粗糙度进行研究.实验结果表明:引入甲烷气体后,非平衡磁控溅射沉积a-C∶H薄膜沉积速率大幅度提高;在3～5μm波段硅基底上镀制a-C∶H膜具有良好的红外增透特性,薄膜峰值透射率明显受到Ar/CH4流量比的影响,Ar/CH4流量比1∶3时,制备的a-C∶H峰值透过率可达69.24%;a-C∶H薄膜的折射率和消光系数随着CH4流量的增加而增大;a-C薄膜的粗糙度要优于a-C∶H薄膜,a-C∶H薄膜的粗糙度随厚度的增加而变大.
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- 关键词：非平衡磁控溅射光学性能
- 含氢类金刚石薄膜的制备及其光学常数研究
- 利用非平衡磁控溅射技术制备类金刚石薄膜时,在放电气体中引入含-CH3原子团的甲烷气体,即采用反应磁控溅射技术得到含氢DLC薄膜,实验系统如图1所示.对反应气体流量进行工艺优化后,薄膜沉积速率可提高到3.8nm/min；氢...
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- 关键词：反应磁控溅射光学常数透过率
- 直流反应磁控溅射制备a-C:H薄膜及其表面粗糙度研究被引量：5
- 2013年
- 为研究含氢类金刚石(a-C:H)薄膜的制备及性能,充入含—CH3原子团的CH4气体,在不同CH4/Ar流量比条件下于N型硅基底上沉积a-C:H薄膜,并借助椭偏仪、非接触式白光干涉仪及激光波面干涉仪对薄膜的沉积速率及表面粗糙度进行测定。结果表明,含氢碳源气体的加入提高了类金刚石薄膜的沉积速率,改善了表面平整度。
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- 关键词：直流反应磁控溅射沉积速率表面粗糙度
