杨锋莉
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：陕西师范大学物理学与信息技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- CaCu3Ti4O(12-x)Clx(x=0,0.2,0.4,0.6,1)陶瓷介电性能研究
- 传统陶瓷烧结方法,制备了CaCu3Ti4O(12-x)Clx(x=0,0.2,0.4,0.6,1)陶瓷样品,利用X 射线衍射仪,测定了材料的物相结构,利用扫描电镜测定了材料的微观形貌,利用阻抗分析仪测定了不同频率下材料的...
- 杨锋莉吴俊林闫妍刘鹏
- 关键词：介电损耗
- CaCu_3Ti_4O_(12)-xMg_2TiO_4陶瓷的介电性能
- 2011年
- 采用传统陶瓷烧结方法,制备了CaCu3Ti4O12（CCTO）-xMg2TiO4（x=0,0.2,0.4,0.6）陶瓷样品.利用X射线衍射仪和扫描电镜,分别确定了样品的物性和形貌,并用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗,进而研究Mg2TiO4对CCTO材料微观结构和介电性能的影响.结果表明：添加Mg2TiO4可促进CCTO晶界处小晶粒生长,抑制大晶粒生长,增强晶界的绝缘性,使低频介电弛豫行为明显减弱,降低CCTO陶瓷样品低频范围的介电损耗.当x=0.2时,在50~150 Hz频率范围内,tanδ均在0.05附近.该实验结果为优化CCTO材料性能、推进其在电容器方面的应用提供了实验依据.
- 杨锋莉吴俊林闫妍刘鹏
- 关键词：巨介电常数
- CaCu_3Ti_4O_(12)-xZnO陶瓷介电性能研究被引量：3
- 2012年
- 采用传统陶瓷烧结方法,制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)-xZnO(x=0,0.05,0.20,0.60,1.00)陶瓷样品.应用X射线衍射仪及扫描电镜,分别确定了样品的物性和形貌.利用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗,研究了ZnO对CCTO材料的微观结构和介电性能的影响.结果表明:添加ZnO可促进CCTO晶界处小晶粒生长,抑制大晶粒生长,降低CCTO陶瓷样品高频范围的介电损耗.当x=1时,在1kHz～1MHz频率范围内,tanδ均小于1.1,并且可将陶瓷的压敏电压提高至100V/mm.这为优化CCTO材料性能、推进其在电容器方面的应用,提供了一定的实验依据.
- 闫妍刘鹏杨锋莉王亚娟
- 关键词：巨介电常数压敏电压
- Ca(1-x)Ce0.5xCu3Ti4O12(x=0,0.1,0.25,0.5,1)陶瓷介电性能研究
- 传统陶瓷烧结方法,制备了Ca(1-x)Ce0.5xCu3Ti4O12(x=0,0.1,0.25,0.5,1)陶瓷,利用X 射线衍射仪,测定了材料的物相结构,利用扫描电镜测定了材料的微观形貌,利用阻抗分析仪测定了不同频率下...
- 闫妍刘鹏杨锋莉王亚娟
- 关键词：介电弛豫压敏电压
