您的位置: 专家智库 > >

王德宏

作品数:4 被引量:17H指数:3
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家部委资助项目国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇单片
  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇电路
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇集成电路
  • 2篇功率半导体
  • 2篇放大器
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器
  • 2篇大功率半导体
  • 2篇大功率半导体...
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇单片微波
  • 1篇单片微波集成...
  • 1篇电路设计

机构

  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 4篇王德宏
  • 2篇吴洪江
  • 1篇张务永
  • 1篇高学邦
  • 1篇柳现发
  • 1篇王绍东
  • 1篇安振峰
  • 1篇刘志军
  • 1篇刘文杰
  • 1篇王辉
  • 1篇李雅静

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇微纳电子技术

年份

  • 4篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
C波段GaAs低噪声放大器单片电路设计被引量:1
2008年
主要介绍了C波段低噪声单片放大器的设计方法和电路设计指标。电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAs工艺技术实现。通过电路设计与电路版图电磁验证相结合的方法,准确设计出了电路。本单片采用两级放大,电路工作频率范围为5-6 GHz,噪声系数小于1.2 dB,增益大于24 dB,输入输出驻波比小于1.5∶1,增益平坦度ΔGp≤±0.1 dB,1 dB压缩点P-1≥12dBm,直流电流小于50 mA。电路最终测试结果与设计结果吻合。
王德宏刘志军刘文杰高学邦吴洪江
关键词:C波段低噪声放大器单片微波集成电路
半导体激光器焊接的热分析被引量:5
2008年
为了解决大功率半导体激光器的散热问题,利用有限元软件ANSYS,采用稳态热模拟方法,分析了半导体激光器内部的温度分布情况,对比分析了In、SnPb、AuSn几种不同焊料烧结激光器管芯对激光器热阻的影响。由模拟结果可见,焊料的厚度和热导率对激光器热阻影响很大,在保证浸润性和可靠性的前提下,应尽量减薄焊料厚度。另外,采用高导热率的热沉材料和减薄热沉厚度可有效降低激光器热阻。在这几种焊接方法中,采用In焊料Cu热沉焊接的激光器总热阻最小,是减小激光器热阻的最佳选择。通过光谱法测出了激光器热阻,验证了模拟结果,为优化激光器的封装设计提供了参考依据。
王辉王德宏
关键词:大功率半导体激光器焊料热模拟热阻光谱法
大功率半导体激光器步进加速老化研究被引量:7
2008年
介绍了半导体激光器寿命测试的理论依据,给出了由电流应力决定的寿命测试的数学模型,据此对AlGaInAs/AlGaAs/GaAs 808nm大功率半导体激光器进行常温电流步进加速老化实验。由步进加速老化的理论依据及数学模型推算出了步进加速寿命实验时间折算公式,利用步进加速寿命实验时间折算公式推算出了器件在额定应力条件下工作的寿命结果;根据实验后器件的失效模式分析,与恒定应力加速老化方式下的实验结果相对比分析,确认该步进加速实验方法可以适用于半导体激光器的加速老化。
王德宏李雅静安振峰
关键词:大功率半导体激光器失效模式
0.8~8.5 GHz宽带单片低噪声放大器被引量:4
2008年
利用负反馈放大器设计原理,采用GaAs PHEMT工艺技术,设计制作了一种微波宽带GaAs PHEMT低噪声放大器芯片,并给出了详细测试曲线。该放大器由两级组成,采用负反馈结构,工作频率0.8-8.5 GHz,整个带内功率增益19 dB,噪声系数1.55 dB,增益平坦度小于±0.7 dB,输入驻波比1.6,输出驻波比1.8,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm,芯片内部集成偏置电路,单电源+5 V供电,芯片具有良好的温度特性。该芯片面积为2.5 mm×1.2 mm。
柳现发王德宏王绍东吴洪江张务永
关键词:宽频带低噪声放大器负反馈微波单片集成电路
共1页<1>
聚类工具0