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秦海英

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:济南市半导体元件实验所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基二极管
  • 2篇二极管
  • 1篇电特性
  • 1篇光电
  • 1篇光电特性
  • 1篇SI基
  • 1篇ZNO
  • 1篇AG
  • 1篇AL
  • 1篇标准CMOS...

机构

  • 2篇济南市半导体...

作者

  • 2篇秦海英
  • 1篇宋迎新
  • 1篇王婷

传媒

  • 1篇电子世界
  • 1篇信息技术与信...

年份

  • 2篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
Si基Al/ZnO/Ag肖特基二极管的研制及其光电特性
2013年
ZnO薄膜是以Si作为基底,利用射频磁控溅射和高温度退火技术制备而成的。分析ZnO薄膜结构特征时,使用X射线衍射显示ZnO薄膜具有高度的C轴择优取向;用电子显微镜扫描样品,表面光洁、平整。在制备ZnO薄膜工艺条件下,在石英玻璃基底上制备Al/ZnO/Ag肖特基二极管紫外探测器。对该器件进行电流测试显示:在室温下,Ag与ZnO已经形成肖特基接触,Al/ZnO/Ag肖特基二极管探测器具有明显的光电响应特性。
秦海英王婷宋迎新宋传利
关键词:ALZNO光电特性
标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现被引量:1
2013年
随着射频无线通讯事业的发展,高性能低成本的射频设计方案越来越受到人们的亲睐。肖特基势垒二极管在射频电路中是重要的元件组成,属于一种多数载流子器件,高频性能非常优越。本文主要介绍一种在标准CMOS工艺的基础上,提出的集成肖特基二极管设计方法,并且该方法在charted 0.35μm工艺中以MPW的方式得以实现。为了使串联电阻有效的降低,特别在肖特基版图中采用交织的方法。通过对实测所设计的肖特基二极管,以所测得的C-V、I-V及S参数对肖特基二极管的势垒电压、饱和电流及反向击穿电压继续拧计算,最后给出能够用于SPICE仿真的模型设计。
秦海英
关键词:肖特基二极管
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