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领域

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主题

  • 6篇太赫兹
  • 6篇赫兹
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机构

  • 22篇中国工程物理...

作者

  • 22篇肖婷婷
  • 21篇彭丽萍
  • 18篇蒋涛
  • 17篇王雪敏
  • 17篇阎大伟
  • 16篇吴卫东
  • 15篇沈昌乐
  • 12篇黎维华
  • 10篇王新明
  • 10篇赵妍
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  • 2篇钟铭龙
  • 2篇李佳
  • 2篇李恪宇
  • 2篇李文琦

传媒

  • 1篇项目管理技术
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 2篇2024
  • 4篇2021
  • 1篇2020
  • 5篇2019
  • 3篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2013
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
太赫兹测试样品装置
本发明提供一种太赫兹测试样品装置,涉及测试样品装置技术领域。太赫兹测试样品装置包括:第一半椭球罩,第一半椭球罩具有第一开口和第二开口,第一开口用于与太赫兹发射装置连接。第二半椭球罩,第二半椭球罩在长轴方向具有第三开口,在...
湛治强王雪敏沈昌乐蒋涛彭丽萍肖婷婷樊龙阎大伟吴卫东
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基于表面温度精确测定的GaAs衬底氧化膜脱附方法及其表面平整化方法
本发明提供一种基于表面温度精确测定的GaAs衬底氧化膜脱附方法及其表面平整化方法,属于半导体材料技术领域。使GaAs衬底表面在As分子束保护下从约400℃匀速升温至620℃~640℃,期间红外测温仪所得温度曲线拐点对应温...
沈昌乐蒋涛王雪敏吴卫东湛治强彭丽萍黎维华王新明樊龙邓青华赵妍张颖娟阎大伟肖婷婷孙亮
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一种用于夹持半导体器件的夹具
本发明涉及一种用于夹持半导体器件的夹具,属于半导体光学电子技术领域,包括基座、支撑件、夹持件、拉杆、挡板及弹性件;支撑件固定设置于基座且设置有用于放置样品的工作端面,工作端面相对于基座的端面倾斜,工作端面设置有用于支撑样...
湛治强沈昌乐王雪敏蒋涛邓青华彭丽萍阎大伟王新明黎维华赵妍肖婷婷
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晶体生长安瓿位置调节装置及系统
本发明提供了一种晶体生长安瓿位置调节装置及系统,涉及安瓿位置调节技术领域。一种晶体生长安瓿位置调节装置,包括支撑组件、热电偶和位置调节组件。位置调节组件通过支撑杆与支撑组件连接,用于在水平和竖直方向移动和定位支撑组件。支...
樊龙肖婷婷彭丽萍黎维华阎大伟吴卫东沈昌乐蒋涛湛治强
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量子级联激光器的热管理研究进展被引量:3
2021年
作为目前最重要的中远红外光源,量子级联激光器(QCL)因独特的性能和频率可拓展至太赫兹(THz)的特点,成为研究的热点。对于QCL,影响其输出功率和工作温度的因素较多,其中高效散热是重要的因素。首先对中红外和太赫兹两种QCL的热管理研究进行了归纳和总结;讨论和分析了两者之间的相似和不同点,主要讨论两种激光器固体侧散热的方法,包括有源区设计、改进工艺、优化器件材料体系等方面;最后,对QCL热管理的未来研究趋势进行了分析和预测。该结果对于QCL的性能提升,特别是输出功率和工作温度的提高,具有一定的参考意义。
张泽涵蒋涛湛治强王雪敏罗佳文彭丽萍樊龙肖婷婷肖婷婷
关键词:量子级联激光器热管理太赫兹中红外
一种降低GaAs材料杂质浓度的方法和GaAs材料的生长工艺
一种降低GaAs材料杂质浓度的方法和GaAs材料的生长工艺,涉及激光器材料领域。降低GaAs材料杂质浓度的方法,其通过对As源进行除气处理降低As源中的杂质含量,除气处理包括以下步骤:在第一温度下进行第一除气步骤,第一温...
蒋涛沈昌乐王雪敏吴卫东湛治强王新明彭丽萍黎维华邓青华阎大伟赵妍樊龙肖婷婷张颖娟孙亮
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一种用于夹持半导体器件的夹具
本发明涉及一种用于夹持半导体器件的夹具,属于半导体光学电子技术领域,包括基座、支撑件、夹持件、拉杆、挡板及弹性件;支撑件固定设置于基座且设置有用于放置样品的工作端面,工作端面相对于基座的端面倾斜,工作端面设置有用于支撑样...
湛治强沈昌乐王雪敏蒋涛邓青华彭丽萍阎大伟王新明黎维华赵妍肖婷婷
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一种超导小球的磁悬浮支撑定位装置
本发明公开了一种超导小球的磁悬浮支撑定位装置及支撑定位调节方法,包括:类球形腔体,其下端外部套设有环形磁铁和高度调节线圈;类球形腔体侧面外部设置有水平凸起平台;水平凸起平台外围绕设有水平位置调节线圈;类球形腔体上端和下端...
李晓佳李兆国袁磊肖婷婷彭丽萍曾勇李文琦钟铭龙
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检测装置
本实用新型提供了一种检测装置,属于氢气传感器检测技术领域,用于氢气传感器的稳定性和重复性的检测,检测装置包括壳体、机械真空泵以及盛装有氢气的氢气瓶,壳体设置有储存腔,机械真空泵用于抽离储存腔内的气体,氢气瓶用于向储存腔内...
阎大伟杨奇罗跃川吴卫东王雪敏彭丽萍黎维华沈昌乐赵妍湛治强蒋涛王新明邓青华肖婷婷
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一种提高太赫兹器件散热及输出功率的方法
本发明公开了一种提高太赫兹器件散热及输出功率的方法,包括:在太赫兹器件表面沉积导热薄膜;所述太赫兹器件为太赫兹量子级联激光器。所述导热薄膜为氮化铝薄膜;所述沉积采用的方法为脉冲激光沉积法所述脉冲激光沉积法的过程为:将太赫...
王雪敏湛治强蒋涛彭丽萍樊龙肖婷婷阎大伟李恪宇舒琳张泽涵罗佳文吴卫东
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