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郭剑

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：光纤通信技术和网络国家重点实验室更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇等离子
  • 1篇多量子阱
  • 1篇量子阱混杂
  • 1篇光子
  • 1篇光子集成

机构

  • 1篇光纤通信技术...
  • 1篇武汉光迅科技...

作者

  • 1篇赵建宜
  • 1篇黄晓东
  • 1篇马卫东
  • 1篇郭剑

传媒

  • 1篇光通信研究

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
等离子诱导QWI对InP/InGaAsP结构的影响
2012年
为了比较简单地在同一外延片上得到具有不同带隙结构的有源器件与无源器件的PIC(光子集成电路)和OEIC(光电子集成电路),采用等离子诱导QWI(量子阱混杂)与RTA(快速热退火)技术获得了InP/InGaAsP结构材料的带隙蓝移,其中通过在材料表面沉积不同占空比的SiO2灰度掩膜来灵活控制带隙偏移量。实验中这种方法在基片上获得了5种带隙波长,其中最大波长偏移为75nm,实验结果说明这种技术是实现PIC和OEIC的有效手段,特别是在多带隙结构中具有广阔的应用前景。
郭剑赵建宜黄晓东马卫东
关键词：光子集成量子阱混杂多量子阱
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