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闫文博

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金：河北省自然科学基金河北省教育厅科研基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇退火
  • 1篇中子辐照
  • 1篇快中子辐照
  • 1篇辐照缺陷
  • 1篇硅
  • 1篇FTIR

机构

  • 1篇河北工业大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇天津理工大学
  • 1篇天津职业技术...

作者

  • 1篇徐建萍
  • 1篇陈贵锋
  • 1篇杨帅
  • 1篇邓晓冉
  • 1篇闫文博

传媒

  • 1篇硅酸盐通报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
快中子辐照硅中双空位的退火行为研究
2010年
本文利用傅立叶变换红外光谱技术（FTIR）及正电子湮没谱技术（PAS）对快中子辐照硅中的双空位（V2）的退火行为作了详细研究.研究发现区熔硅中双空位在250 ℃热处理会通过相互连接形成链状而在红外光谱中消失,提高退火温度到350～450 ℃,它们将进一步结合形成具有三维结构的四空位型缺陷;而在直拉硅中双空位主要通过捕获间隙氧或A中心（VO）形成V3O复合体而消失.
杨帅邓晓冉徐建萍陈贵锋闫文博
关键词：辐照缺陷硅FTIR
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共1页<1>
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