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李夏南

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：大连民族学院理学院光电子技术研究所更多>>
发文基金：博士科研启动基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇应力
  • 1篇金属有机化学...
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇SIN
  • 1篇GAN材料

机构

  • 1篇大连民族学院
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇周均铭
  • 1篇曹保胜
  • 1篇丛妍
  • 1篇于乃森
  • 1篇李夏南

传媒

  • 1篇液晶与显示

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
原位SiN_x掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响(英文)被引量：3
2010年
研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响。通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放。相应地,低温光致发光测试显示,施主束缚激子发光峰峰位出现明显的红移。我们认为,随着SiNx掩模淀积时间的增加,掩模覆盖度的增大,促进了侧向外延的生长,释放了压应力,进而影响了材料的光学性质。
李夏南于乃森曹保胜丛妍周均铭
关键词：氮化镓金属有机化学气相沉积应力
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