李玉茹
- 作品数：3 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- LEC-InP晶体中孪晶现象的研究被引量：2
- 2015年
- 在LEC-In P晶体生长过程中,孪晶的产生是一个影响In P单晶率的突出问题。生长高质量、大直径的单晶是当前In P晶体生长的发展方向,减少孪晶一直是In P单晶生长技术的研究重点。国内外学者研究了影响孪晶产生的相关因素,但具体产生机制仍未确定。大量的实验研究表明In P晶体中的孪晶通常出现在三相界面处的边缘小平面上,且不论内砍还是外切孪晶均产生在{111}面上。晶体生长转肩过程中改变提拉速度会导致边缘过冷度增加,很容易产生孪晶。研究表明可以调整降温速率来实现对晶体直径的控制,减少拉速改变的频率避免造成边缘处过冷度增大,使得晶体生长实现平滑转肩,减小转肩时孪晶的产生概率。
- 李玉茹李晓岚孙同年孙聂枫
- 关键词：P孪晶过冷度
- HP-LEC法InP单晶生长的引晶、放肩过程研究被引量：1
- 2013年
- 摘要：利用自制高压单晶炉内采用高压液封直拉技术（HP—LEC）研究了〈100〉InP晶体生长过程中引晶和放肩阶段的控制等因素对单晶生长的影响。采用平放肩工艺进行了3～4英寸（1英寸=2．54cm）InP单晶的生长。通过多次实验，可重复生长出直径80～110mm、长62～112mm的3～4英寸InP单晶锭。介绍了平放肩工艺技术特点和应用效果。经过统计和分析，认为InP晶体生长中放肩阶段的孪晶产生由多种因素造成，不存在所谓的“临界放肩角”。通过热场调整和工艺控制，可以用较低的提拉速度在较短时间内生长出3～4英寸头部；通过等径控制，可以生长出无孪晶或挛晶较少的高质量InP单晶。
- 李玉茹黄清芳李晓岚邵会民史艳磊孙聂枫
- 关键词：INP单晶孪晶
- InP在太阳电池中的应用及进展被引量：2
- 2014年
- 介绍了国内外InP太阳电池的发展现状,对InP太阳电池的技术及其优势进行了分析。探讨了反向生长和低温键合对InP多结太阳电池质量的影响,指出其不仅可以降低位错等缺陷,提高太阳电池的转换效率,并且可以节约材料,一定程度上降低成本。InP纳米线太阳电池制造工艺简单,发展迅速,通过堆叠多个子电池可以实现高的转换效率,是未来InP太阳电池的发展方向之一。高聚光太阳电池已成为全球太阳电池的焦点,高聚光性结合低温半导体键合技术,更高转换效率的InP太阳电池一定会实现。
- 李玉茹付莉杰史艳磊孙同年孙聂枫
- 关键词：键合技术抗辐射
