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潘章杰

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇碳化硅
  • 2篇粗糙度
  • 1篇研磨
  • 1篇碳化硅衬底
  • 1篇抛光
  • 1篇精密加工技术
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇机械抛光
  • 1篇硅衬底
  • 1篇SI
  • 1篇SIC
  • 1篇CMP
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇冯玢
  • 2篇王磊
  • 2篇郝建民
  • 2篇潘章杰

传媒

  • 2篇电子工业专用...

年份

  • 2篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
碳化硅衬底精密加工技术被引量：1
2013年
介绍了一种包含多线切割、研磨、抛光等主要工序的75 mm(3英寸)碳化硅衬底精密加工技术,该技术成功对本单位自主研制的碳化硅衬底进行精密加工。实验过程中使用了几何参数测试仪、强光灯、微分干涉显微镜(DIC)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)等检测手段对加工工艺效果进行监控。通过该技术制备出了几何尺寸参数良好、表面质量优良的碳化硅晶片。
冯玢潘章杰王磊郝建民
关键词：碳化硅衬底研磨抛光粗糙度
SiC(0001)面和(000-1)面CMP抛光对比研究被引量：3
2013年
研究了SiC衬底(0001)面和(000-1)面不同的CMP抛光特性。分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000-1)C面进行对比抛光实验。使用精密天平测量晶片抛光前后的质量,计算出CMP抛光工艺的材料去除速率。并使用强光灯、微分干涉显微镜和原子力显微镜检测晶片表面质量。发现采用酸性抛光液和碱性抛光液进行抛光,均有VC>VSi;而对于(0001)Si面,有VSi酸>VSi碱;对于(000-1)C面,有VC酸>VC碱。该结论对于探索最佳碳化硅的CMP抛光工艺具有较高价值。
潘章杰冯玢王磊郝建民
关键词：碳化硅粗糙度
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