玛迪娜
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：伊犁师范学院物理科学与技术学院更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- 不同烧结温度与工艺对SiC陶瓷表面形貌的影响
- 2016年
- 对碳化硅粉体进行预氧化处理,以Al2O3-Mg O-Y2O3为烧结助剂,在不同温度下无压烧结制备Si C陶瓷.对陶瓷样品的晶体结构和表面微结构进行了检测分析,研究烧结温度和碳化硅粉体是否预氧化处理对陶瓷材料的影响.结果表明:经过预氧化处理的样品比未经预氧化处理的样品存在较多孔隙,且烧结后质量损失程度大;无论是否经过预氧化处理,样品中均出现了Y3Al5O12相(YAG).
- 杜卫平朱强董肖王丽娜萨娜玛迪娜朱丹丹
- 关键词：碳化硅陶瓷预氧化
- NdOCl-MgO助烧剂配比对SiC陶瓷烧结及介电性能的影响被引量：1
- 2016年
- 采用无压液相烧结方法,制备Nd OCl-Mg O助烧剂总质量分数为9%,Nd OCl/Mg O不同配比的Si C陶瓷.对陶瓷样品的晶体结构和表面微结构进行检测分析,并研究讨论了助烧剂不同配比对Si C陶瓷介电性能的影响.结果表明:随着Nd OCl/Mg O比例的增加,样品中孔隙有减少趋势;Nd OCl与Mg O配比为4∶5时样品相对介电常数及介电损耗均比配比为2∶7时要小,二者介电损耗随温度变化近似线性变化.
- 董肖杜卫平朱强张晓旭玛迪娜赵兴宇杜斌
- 关键词：SIC陶瓷
- 不同制备工艺对SiC陶瓷表面形貌的影响
- 2015年
- 采用不同制备工艺(即Si C粉体的预氧化处理),以Al_2O_3-MgO-Y_2O_3为烧结助剂,在1900℃下无压烧结制备Si C陶瓷.用XRD和SEM分析Si C陶瓷微观结构和表面形貌.结果表明:碳化硅粉料未经预氧化处理,制备出的Si C陶瓷表面孔隙相对较小,密度相对较高;Si C粉料经预氧化处理后,在烧结过程中产生Y_3Al_5O_(12)相,但密度相对较低.
- 朱强张晓旭玛迪娜朱丹丹张强王艳辉董肖薛明明
- 关键词：碳化硅陶瓷预氧化
- Al_2O_3-MgO-Y_2O_3为烧结助剂对SiC陶瓷表面形貌的影响被引量：4
- 2015年
- 利用Al2O3-MgO-Y2O3为烧结助剂,在1900℃下无压烧结制备SiC陶瓷.用XRD和SEM分析SiC陶瓷表面氧化产物相组成和微观形貌.结果表明:烧结助剂为wt(2%Al2O3+4%MgO+4%Y2O3)所制备的SiC陶瓷所形成的颗粒较为光滑,且孔隙相对较小.
- 张晓旭石秀丽朱强玛迪娜李志鹏董肖薛明明
- 关键词：碳化硅陶瓷烧结助剂无压烧结
