袁虎臣
- 作品数：2 被引量：6H指数：1
- 供职机构：天津理工大学理学院更多>>
- 发文基金：天津市高等学校科技发展基金计划项目天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 配体链长对PbS量子点薄膜/Al肖特基结整流特性的影响
- 2013年
- 利用热注入法合成带有油酸配体的PbS量子点,用短链乙醇胺替代长链油酸做为PbS量子点的配体。对比了由两种材料制得的量子点薄膜与Al形成的肖特基结的J-V特性,采用热电子发射理论对其J-V特性进行分析,结果发现,接有短链乙醇胺的PbS量子点薄膜具有更优的整流特性,理想因子n为3.8,明显低于采用油酸配体的PbS量子点(n=4.6)。研究表明,短链配体有利于提高PbS薄膜表面的均匀性并形成较好的肖特基接触;短链置换过程提高了量子点薄膜与Al电极的接触势垒高度,使肖特基结反向漏电流降低。
- 任志瑞徐建萍石少波张晓松袁虎臣姜立芳朱明雪王丽师李岚
- 关键词：肖特基结整流特性
- Si^(4+)掺杂对Gd_(1.6)WO_6:Eu_(0.4)^(3+)荧光粉发光特性的影响被引量：6
- 2014年
- 采用高温固相法合成了不同Si 4+掺杂比例的Gd1.6(W1-x Six)O6:Eu3+0.4荧光粉,分析了Si 4+掺杂对Gd1.6(W1-x Six)O6:Eu3+0.4荧光粉晶格结构的影响,研究了不同Si 4+掺杂比例下的XRD谱、激发光谱、发射光谱和衰减曲线。结果发现:Si 4+的掺杂改变了基质的结构,使得激活剂离子Eu3+周围的晶体场改变,从而改变了荧光粉的发光效率,当Si 4+的掺杂浓度达到0.4mol时,晶体对称性最差,粉体发光强度最大。根据发射光谱和衰减曲线计算了样品的J-O强度参数和无辐射跃迁几率,结果表明适量的Si 4+掺杂可以抑制无辐射跃迁,提高发光强度。计算结果与实验结果相符。
- 耿耀辉徐生艳张颖涛袁虎臣李岚
- 关键词：GDL发光强度
