郑巍峰
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：江苏工业学院信息科学与工程学院功能材料实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Ta掺杂VO_2多晶薄膜的相变特性
- 2009年
- 以氧化二乙酰丙酮合钒(C10H14O5V)为前驱体,乙醇钽[Ta(OC2H5)5]为掺杂剂,用溶胶-凝胶方法在Si(100)和SiO2/Si衬底上制备了V1-xTaxO2(x=0-0.1)多晶薄膜。XRD谱图显示薄膜呈(011)面取向生长。随着Ta掺杂量的增大,d(011)基本呈线性增大表明Ta替代了V在晶格中的位置,实现了替位掺杂。每掺杂1%原子比的Ta,相变温度降低7.8℃,相变热滞减小1℃。SiO2/Si衬底上5%原子比掺杂薄膜的相变温度为29.5℃,室温(300 K)电阻-温度系数(TCR)为-8.44%/K。两种衬底上掺杂V0.9Ta0.1O2薄膜的升温和降温电阻-温度曲线基本重合。实验结果显示,Ta是降低VO2薄膜的相变温度和消除相变热滞的有效掺杂剂。
- 赵蒙李金华郑巍峰付学成
- 关键词：二氧化钒薄膜电阻温度系数溶胶-凝胶法
- 溶胶凝胶法制备多孔SiO_2薄膜的新方法被引量：2
- 2009年
- 以氨水、醋酸为催化剂,用正硅酸已酯(TEOS)为Si源,甘油作为防裂剂,聚乙烯醇(PVA1750)作为致缓剂和发泡剂,制作多孔SiO2薄膜。碱催化使得硅-羟基化合物的溶解度增大,并抑制了SiO2的聚合,弱酸的二步催化使硅-羟基化合物聚合成10～100nm的胶粒。丙三醇和TEOS水解的中间体Si(OC2H5)4-x(OH)x硅羟基形成氢键,抑制了硅-羟基化合物的聚沉,PVA的存在减缓了溶胶的聚合,在快速退火炉热处理时产生多孔结构。多孔SiO的厚度在3μm内可调。
- 郑巍峰李金华赵蒙付学成
- 关键词：溶胶凝胶法正硅酸乙酯快速退火
