马宁
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国地质大学（北京）更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- HWCVD低温制备超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜
- 2016年
- 采用热丝化学气相沉积（HWCVD）技术在低温条件下（100℃）制备超薄（-30 nm）的硼掺杂硅薄膜。系统研究了氢稀释比例RH对薄膜的微结构和电学性能的影响。当RH由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,载流子浓度增加,暗电导率增加;同时,薄膜的缺陷密度增加、霍尔迁移率降低。实验证实,当RH=55-70时,超薄硅薄膜开始晶化,这是薄膜由非晶到纳米晶的转化区。快速热退火工艺进一步提高了薄膜导电率。在RH=115、衬底温度为100℃沉积条件下,经过420℃、80 s退火,获得电导率为6.88 S/cm的超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜。
- 郭宇坤周玉荣陈瑱怡马宁刘丰珍
- 关键词：热丝化学气相沉积硅薄膜硼掺杂电学性能
