2024年7月5日
星期五
|
欢迎来到维普•公共文化服务平台
登录
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
高欣欣
作品数:
1
被引量:0
H指数:0
供职机构:
大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性教育部重点实验室
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
更多>>
相关领域:
理学
更多>>
合作作者
王艳辉
大连理工大学物理与光电工程学院...
王德真
大连理工大学物理与光电工程学院...
庄娟
大连理工大学物理与光电工程学院...
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
1篇
中文期刊文章
领域
1篇
理学
主题
1篇
甚高频
1篇
纳米硅
1篇
纳米硅薄膜
1篇
硅薄膜
1篇
硅烷
1篇
放电
机构
1篇
大连理工大学
作者
1篇
庄娟
1篇
王德真
1篇
王艳辉
1篇
高欣欣
传媒
1篇
核聚变与等离...
年份
1篇
2009
共
1
条 记 录,以下是 1-1
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
甚高频放电加速纳米硅薄膜沉积速度的机理研究
2009年
建立一维自洽流体模型,对低压甚高频等离子体放电中产生的主要粒子建立连续性方程、动量方程和电流平衡方程。分析了甚高频对纳米粒子的种子离子SiH3-及电子和正离子SiH3+的影响,给出了种子离子、电子以及正离子密度随频率变化的时空演化过程。结果表明改变频率可以改变SiH3-的密度,从而控制粒子的成核及生长。同时甚高频放电也改变了等离子体中电子和正离子密度以及电场的强度,从而加快等离子体中的化学反应速度和纳米粒子的沉积速度。
庄娟
王德真
高欣欣
王艳辉
关键词:
硅烷
纳米硅
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张