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何朝辉
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1
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供职机构:
中国科学院半导体研究所
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相关领域:
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合作作者
孟秀清
中国科学院半导体研究所
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中国科学院
作者
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孟秀清
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何朝辉
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半导体光电
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2013
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SnS壳层厚度对ZnO/SnS核壳结构纳米棒光致发光性能的影响
2013年
通过简单的水热法制备了ZnO纳米棒,然后成功地在ZnO纳米棒上修饰了一层SnS壳层,形成了ZnO/SnS核壳结构纳米棒。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对上述核壳结构进行了表征。结果表明制备的ZnO纳米棒直径在20~200nm,长度达1μm,随着SnS壳层修饰时间的增加壳层厚度逐渐增加。PL分析表明,当SnS壳层厚度很薄时,由于ZnO纳米棒表面态得到了修复,ZnO纳米棒的PL强度得到了很好的提升;但当SnS壳层厚度达到一定程度后,该核壳结构会形成一种Ⅱ型能带排列,这样该核壳结构的PL强度反而会被降低。
何朝辉
孟秀清
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光致发光
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