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刘鑫

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：郑州轻工业学院物理与电子工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇压敏
  • 1篇压敏性
  • 1篇压敏性能
  • 1篇势垒
  • 1篇势垒高度
  • 1篇CA
  • 1篇GD掺杂
  • 1篇掺杂
  • 1篇GDX

机构

  • 1篇郑州轻工业学...

作者

  • 1篇陈镇平
  • 1篇李涛
  • 1篇刘永伟
  • 1篇谢新宇
  • 1篇刘鑫
  • 1篇陈书林

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Gd掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷材料压敏性能的影响被引量：2
2016年
采用固相法制备了Ca_（1-x）Gdx_Cu_3Ti_4O_（12）（x=0～0.09）陶瓷系列样品,利用X射线衍射、Raman光谱和正电子湮没等技术手段,对系列样品的微观结构、缺陷浓度进行测试和表征。结果表明,在整个掺杂范围内体系未发生结构相变,掺杂引起体系晶格膨胀、分子极化率增加;随Gd掺杂量x的增加,空位型缺陷增加。电性能测试结果表明,适量Gd掺杂（x=0.01）有利于改善体系的压敏性能,而过量Gd掺杂（x=0.07～0.09）会阻碍晶界势垒的形成,因而抑制体系的压敏性能。讨论了体系微观结构、空位型缺陷浓度及晶界势垒高度等因素对体系压敏性能的影响特征。
谢新宇项会雯陈镇平李涛陈书林刘永伟刘鑫
关键词：压敏性能势垒高度
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