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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇汽车
  • 1篇汽车电子
  • 1篇热振荡
  • 1篇网络
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  • 1篇过温保护
  • 1篇过温保护电路
  • 1篇放大器
  • 1篇放大器设计
  • 1篇CMOS
  • 1篇FET

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇上海大学

作者

  • 2篇王坤
  • 2篇程新红
  • 2篇张专
  • 1篇俞跃辉
  • 1篇徐大伟
  • 1篇王林军
  • 1篇李新昌

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 2篇2016
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
0.13 μm CMOS Stacked-FET两级功率放大器设计被引量:2
2016年
基于TSMC 0.13μm CMOS工艺设计了一款适用于无线传感网络、工作频率为300~400 MHz的两级功率放大器。功率放大器驱动级采用共源共栅结构,输出级采用了3-stack FET结构,采用线性化技术改进传统偏置电路,提高了功率放大器线性度。电源电压为3.6 V,芯片面积为0.31 mm×0.35 mm。利用Cadence Spectre RF软件工具对所设计的功率放大器电路进行仿真,结果表明,工作频率为350 MHz时,功率放大器的饱和输出功率为24.2 d Bm,最大功率附加效率为52.5%,小信号增益达到38.15 d B。在300~400 MHz频带内功率放大器的饱和输出功率大于23.9 d Bm,1 d B压缩点输出功率大于22.9 d Bm,最大功率附加效率大于47%,小信号增益大于37 d B,增益平坦度小于±0.7 d B。
王坤程新红王林军徐大伟张专李新昌
关键词:CMOS功率放大器线性化无线传感网络
一种快速转换的过温保护电路被引量:4
2016年
基于0.35μm BCD工艺设计了应用于车用本地内联网(LIN)收发器芯片内的过温保护电路。在普通两级比较器上引入简单正反馈,实现了温度的滞回特性,避免电路在翻转温度阈值点产生热振荡。利用三极管(BJT)产生的与绝对温度成正比(PTAT)电压和与绝对温度成反比(CTAT)电压进行比较,两者的压差随温度变化快,输出的包含过温判定的控制信号跳转温区小,转换速度快,能实现对芯片的过温锁定保护。利用Cadence Spectre软件对所设计的电路进行仿真,结果表明,正翻转(开启)温度t+=159.4℃,输出信号的由低电平向高电平跳转温区仅为0.1℃,热转换速度为50 V/℃,逆翻转(关闭)温度t-=147.4℃,具有12℃的温度滞回量。电路在电源电压变化时能稳定可靠的工作,可满足汽车电子的应用需求。
张专程新红俞跃辉王坤
关键词:过温保护热振荡汽车电子
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