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田小丽

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:太原科技大学应用科学学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 1篇形貌
  • 1篇原子
  • 1篇三能级
  • 1篇三能级原子
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇失谐
  • 1篇失谐量
  • 1篇能级
  • 1篇能级原子
  • 1篇介质
  • 1篇级联三能级原...
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射功率
  • 1篇光场
  • 1篇二项式光场
  • 1篇薄膜形貌
  • 1篇SIO
  • 1篇CU
  • 1篇KERR介质

机构

  • 2篇太原科技大学

作者

  • 2篇田小丽
  • 1篇王建荣
  • 1篇陈峰华
  • 1篇张敏刚

传媒

  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇太原科技大学...

年份

  • 2篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
Kerr介质对二项式光场和三能级原子场熵的影响被引量:2
2013年
利用全量子理论研究了在二项式光场中介质和失谐量对级联三能级原子纠缠量的影响,结果显示:光场的强弱不同时,介质系数和失谐量对场熵的影响不同,在不同的光场中,选择合适的参数可得到稳定的纠缠态。
田小丽王建荣
关键词:KERR介质失谐量级联三能级原子
衬底负偏压及溅射功率对SiO_2/Cu薄膜形貌的影响
2013年
采用射频磁控溅射镀膜技术,分别以不同的衬底负偏压和射频溅射功率下在p型Si(100)基片上制备了SiO2/Cu薄膜。用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行扫描分析,实验结果表明,衬底负偏压和射频溅射功率对SiO2/Cu薄膜的表面形貌都有显著的影响。衬底负偏压在0~15 V内,薄膜表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随着衬底负偏压的增大呈减小的趋势,而溅射功率在100~200 W内,薄膜表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随溅射功率的升高呈增大的趋势。成膜初期是层状生长模式,后期为岛状生长模式,整个成膜过程是典型的层岛生长模式。
田小丽张敏刚陈峰华
关键词:射频磁控溅射溅射功率形貌
共1页<1>
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