您的位置： 专家智库 > >

胡永达

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇化学镀
  • 1篇化学镀NI-...
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体技术

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇朱大鹏
  • 1篇罗乐
  • 1篇王立春
  • 1篇胡永达

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
化学镀Ni-P在纯锡凸点的应用及界面研究
2006年
采用化学镀Ni-P作UBM阻挡层,利用电镀的方法制备了面阵列和周边排布的无铅纯锡凸点,凸点高度为85±2μm,一致性良好。研究了不同回流温度下纯锡焊球的剪切强度、断裂模式和与Ni-P层反应生成的金属间化合物。结果表明,纯锡凸点回流时与Ni-P生成针状Ni3Sn4,凸点剪切强度达到92MPa以上。剪切断裂为韧性断裂,随着回流温度提高及回流时间延长,Ni3Sn4相由针状向块状转变,Ni-P层与Ni3Sn4层间生成层状Ni3P相,粗化的Ni3Sn4相受压应力向焊球内部脱落。
朱大鹏王立春胡永达罗乐
关键词：半导体技术化学镀NI-P
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0