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褚胜林

作品数:4 被引量:6H指数:1
供职机构:中南大学材料科学与工程学院粉末冶金国家重点实验室更多>>
发文基金:创新研究群体科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 2篇真空浸渍
  • 2篇树脂
  • 2篇树脂法
  • 2篇金相
  • 2篇金相样品
  • 2篇孔隙
  • 2篇复合材料
  • 2篇SIC涂层
  • 2篇C/C
  • 2篇C/C复合材...
  • 2篇复合材
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅晶须
  • 1篇涂层
  • 1篇气相沉积
  • 1篇中密度
  • 1篇力学性能
  • 1篇晶须
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积

机构

  • 4篇中南大学

作者

  • 4篇褚胜林
  • 2篇王守仁
  • 2篇谭周建
  • 2篇廖寄乔
  • 2篇黄志锋
  • 2篇张灵芝
  • 1篇凌继容
  • 1篇张翔
  • 1篇李丙菊
  • 1篇李军

传媒

  • 2篇粉末冶金材料...
  • 1篇粉末冶金技术
  • 1篇理化检验(物...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2012
  • 1篇2008
  • 1篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
碳化硅晶须对C/C复合材料表面SiC涂层的影响被引量:1
2012年
以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法(CVD)在C/C复合材料表面原位生长碳化硅晶须(SiCw)及制备SiC涂层,研究SiCw对SiC涂层微观形貌,织构及力学性能的影响。结果表明:SiCw不仅可促成SiC等轴颗粒的细化、生长完善,裂纹宽度减小、偏转明显,而且可使涂层的织构发生改变;同时,大量的空洞在SiCw处形成,使得内层SiC涂层硬度低于外层,从而导致整个SiC涂层的硬度和弹性模量降低。
谭周建李军张翔李丙菊褚胜林廖寄乔
关键词:碳化硅晶须C/C复合材料SIC涂层力学性能
中密度C/C复合材料表面制备SiCnw/SiC涂层被引量:1
2015年
在中密度C/C复合材料基体上采用催化化学气相沉积方法生长碳化硅纳米线(SiCnw)及制备碳化硅纳米线/碳化硅(SiCnw/SiC)涂层,研究中密度C/C复合材料基体上加载催化剂后涂层沉积及其抗氧化性能,结果表明:中密度基体上催化制备SiCnw涂层,可改善沉积效率,同时可抑制裂纹扩展,明显改善SiC涂层在1200℃的氧化防护能力。另外,在1500℃的空气中氧化10h后,SiCnw/SiC涂层氧化质量损失率仅为1.34%,明显低于质量损失率为8.67%的单层SiC涂层。
凌继容谭周建李军褚胜林李丙菊刘学文廖寄乔
关键词:C/C复合材料
真空浸渍树脂法制备烧结金属材料金相样品被引量:3
2007年
详细介绍了真空浸渍树脂法制备金相样品的制备过程。实践表明,采用真空浸渍树脂法能够填充材料表面的连通孔隙,保护原有孔隙的形貌、数量和分布,并能够较好地保护涂层、精细和易碎材料免受机械损伤;且能够防止在研磨和侵蚀的过程中研磨剂和腐蚀剂对样品的污染。
黄志锋褚胜林张灵芝王守仁
关键词:真空浸渍金相样品孔隙树脂
真空浸渍树脂法制备金相样品的研究被引量:1
2008年
详细介绍了真空浸渍树脂法制备金相样品的制备过程。实践表明:采用真空浸渍树脂法能够很好地填充材料表面的连通孔隙,保护原有孔隙的形貌、数量和分布;能够较好地保护涂层、精细和易碎材料免受机械损伤;能够防止样品在研磨和侵蚀的过程中研磨剂和腐蚀剂的污染。
黄志锋褚胜林张灵芝王守仁
关键词:真空浸渍金相样品孔隙树脂
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