褚胜林
- 作品数：4 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中南大学材料科学与工程学院粉末冶金国家重点实验室更多>>
- 发文基金：创新研究群体科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 碳化硅晶须对C/C复合材料表面SiC涂层的影响被引量：1
- 2012年
- 以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法(CVD)在C/C复合材料表面原位生长碳化硅晶须(SiCw)及制备SiC涂层,研究SiCw对SiC涂层微观形貌,织构及力学性能的影响。结果表明:SiCw不仅可促成SiC等轴颗粒的细化、生长完善,裂纹宽度减小、偏转明显,而且可使涂层的织构发生改变;同时,大量的空洞在SiCw处形成,使得内层SiC涂层硬度低于外层,从而导致整个SiC涂层的硬度和弹性模量降低。
- 谭周建李军张翔李丙菊褚胜林廖寄乔
- 关键词：碳化硅晶须C/C复合材料SIC涂层力学性能
- 中密度C/C复合材料表面制备SiCnw/SiC涂层被引量：1
- 2015年
- 在中密度C/C复合材料基体上采用催化化学气相沉积方法生长碳化硅纳米线(SiCnw)及制备碳化硅纳米线/碳化硅(SiCnw/SiC)涂层,研究中密度C/C复合材料基体上加载催化剂后涂层沉积及其抗氧化性能,结果表明:中密度基体上催化制备SiCnw涂层,可改善沉积效率,同时可抑制裂纹扩展,明显改善SiC涂层在1200℃的氧化防护能力。另外,在1500℃的空气中氧化10h后,SiCnw/SiC涂层氧化质量损失率仅为1.34%,明显低于质量损失率为8.67%的单层SiC涂层。
- 凌继容谭周建李军褚胜林李丙菊刘学文廖寄乔
- 关键词：C/C复合材料
- 真空浸渍树脂法制备烧结金属材料金相样品被引量：3
- 2007年
- 详细介绍了真空浸渍树脂法制备金相样品的制备过程。实践表明,采用真空浸渍树脂法能够填充材料表面的连通孔隙,保护原有孔隙的形貌、数量和分布,并能够较好地保护涂层、精细和易碎材料免受机械损伤;且能够防止在研磨和侵蚀的过程中研磨剂和腐蚀剂对样品的污染。
- 黄志锋褚胜林张灵芝王守仁
- 关键词：真空浸渍金相样品孔隙树脂
- 真空浸渍树脂法制备金相样品的研究被引量：1
- 2008年
- 详细介绍了真空浸渍树脂法制备金相样品的制备过程。实践表明:采用真空浸渍树脂法能够很好地填充材料表面的连通孔隙,保护原有孔隙的形貌、数量和分布;能够较好地保护涂层、精细和易碎材料免受机械损伤;能够防止样品在研磨和侵蚀的过程中研磨剂和腐蚀剂的污染。
- 黄志锋褚胜林张灵芝王守仁
- 关键词：真空浸渍金相样品孔隙树脂
