邹宇
- 作品数：6 被引量：33H指数：3
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术电气工程电子电信更多>>
- 腐蚀液配方对刻蚀高阻硅多孔阵列结构形貌影响的研究被引量：3
- 2013年
- 采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备。就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究。研究表明,在其它相同的实验条件下,改变组元乙醇的比例,制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别。随着腐蚀液中组元乙醇含量的减小,制备的多孔阵列结构中的孔的表面及断面形貌逐渐显得光滑、平整。当改变腐蚀液配方中的HF浓度时,制备的多孔阵列结构中的孔的大小及深度也随之改变,对此的机制进行了探讨。
- 蒋稳邹宇伍建春展长勇朱敬军安竹杨斌黄宁康
- 关键词：中子探测器电化学刻蚀形貌
- 三维方孔硅探测器的热中子探测影响研究
- 2017年
- 采用基于Monte-Carlo方法的Geant4程序对填充~6LiF中子转换材料的三维方孔硅探测器的热中子探测进行了模拟,研究了探测器结构与探测效率、能量沉积谱的关系。探究了方孔截面尺寸、孔间距、孔深度、系统最小可探测限(LLD)等参数对热中子探测效率的影响。研究结果表明,探测效率随截面尺寸或孔间距的增大先增加后减小,随孔深度的增加而增大,直到一个极限值。经优化结构参数,在LLD为300 keV的情况下,孔间距大于6μm的三维方孔硅探测器的探测效率受LLD的影响较小。理论上,三维方孔硅探测器的最佳尺寸为孔间距6μm、孔截面尺寸30μm、孔深度1 mm,其探测效率可达59.5%。
- 刘彪展长勇伍建春邹宇
- 关键词：GEANT4硅
- 多孔硅阵列结构的形貌研究被引量：7
- 2013年
- 采用电化学腐蚀方法分别在HF+异丙醇(IPA)和HF+IPA+十六烷基三甲基氯化铵(CATC)溶液中制备多孔硅结构阵列,分别讨论HF酸浓度、CTAC、刻蚀电流、刻蚀时间对多孔硅阵列的形貌的影响。结果表明:在质量分数40%HF,H2O,IPA的体积比为7∶4∶29时得到优化的多孔硅阵列;腐蚀电流密度越大,孔壁越薄;初始的腐蚀会向外扩展直到形成的孔径达近10μm,在窗口8μm、间距5μm的硅片上腐蚀的孔壁表面出现小孔。CTAC的加入会使孔壁上刻蚀出小孔,并随着CTAC的增加,小孔的孔径减小,数量增加。
- 范晓强蒋勇展长勇邹宇伍建春黄宁康王春芬
- 关键词：中子探测器形貌异丙醇阳极氧化
- 伏特效应放射性同位素电池的原理和进展被引量：23
- 2006年
- 本文介绍伏特效应放射性同位素电池的工作原理及电池类型。重点介绍了适用于心脏起搏器、微机电系统(MEMs)等的辐射伏特效应放射性同位素微电池,并对这种电池的应用前景作了展望。
- 邹宇黄宁康
- 中频磁控溅射制备a-C∶H薄膜中沉积功率的影响
- 2009年
- 采用中频反应磁控溅射方法,在不同溅射沉积功率下,在单晶Si基片上沉积了a-C∶H薄膜.研究了不同沉积功率对a-C∶H薄膜的形貌、硬度、弹性的影响,并用Raman和FITR分析了引起a-C∶H薄膜形貌和力学性能变化的原因.结果表明,沉积功率对薄膜的形貌、硬度和弹性都有很大的影响,在功率为140 W时沉积的a-C∶H薄膜表面致密,具有最大的硬度和弹性模量.
- 姜辉邹宇
- 关键词：类金刚石薄膜弹性模量
- 沉积温度对中频磁控溅射制备含氢非晶碳膜表面形貌和力学性能的影响被引量：1
- 2009年
- 作为红外窗口的保护层,含氢非晶碳膜(a-C:H)是薄膜材料研究的热点。本文利用中频非平衡磁控溅射技术,以氩气和甲烷混合气体为工作气体,在单晶硅片上沉积含氢的a-C:H膜。改变沉积温度,制备常温和加温到80℃、120℃、150℃四种不同的溅射温度下沉积的a-C:H膜,发现薄膜的表面形貌、纳米硬度与沉积温度的变化不是成简单的线性关系。用Raman和FITR分析了引起a-C:H膜表面形貌和力学性能变化的原因。结果表明,Raman和FITR分析表明基体温度为80℃以上沉积的膜中化学结构是以sp2键和C-H键非刚性键约束的聚合物结构为主,不能形成三维网络结构,对硬度的贡献几乎为零,所以硬度最低;常温时沉积,薄膜中含氢量低,正四面体的sp3结构增加,薄膜的硬度和弹性都增大。
- 姜辉邹宇
- 关键词：中频磁控溅射含氢非晶碳膜表面形貌
