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郭艳春

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电离
  • 1篇电离辐射
  • 1篇电器
  • 1篇失效模式
  • 1篇抗辐射
  • 1篇抗辐射加固
  • 1篇继电器
  • 1篇固体继电器
  • 1篇MOS

机构

  • 1篇四川压电与声...
  • 1篇重庆光电技术...

作者

  • 1篇张佳宁
  • 1篇徐道润
  • 1篇张雷
  • 1篇陈春霞
  • 1篇龙平
  • 1篇李祖安
  • 1篇郭艳春
  • 1篇陈倩

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
光MOS固体继电器抗电离辐射研究
2012年
分析了光MOS固体继电器在电离辐照条件下的失效模式,并针对组成器件的不同元器件提出了抗辐射的设计方案。采取了包括优化材料、合理设计器件结层厚度、选用抗辐射能力强的钝化膜等工艺技术制作样品,并通过试验对比确认了抗辐射方案的有效性,结果表明,器件抗辐照能力大于30krad(Si),能够满足对星用光MOS固体继电器抗辐射能力的要求。
李祖安郭艳春陈春霞龙平张佳宁徐道润张雷陈倩
关键词：电离辐射失效模式抗辐射加固
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共1页<1>
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